фізика напівпровідників, физика полупроводников ; наукові дослідження, научные исследования

Показано, что для компенсированного полупроводника с глубокими примесными уровнями неравновесная плотность объемного заряда в уравнении Пуассона можно заменить эфективной равновесной плотностью объемного заряда. в которую входят равновесная концентрация свободных носителей заряда и равновесные концентрации ионов и нейтральных атомов примеси. Это позволяет для нахождения ширины области объемного заряда и барьерной емкости контакта металл-полуповодник и несимметричного резкого р-n перехода использовать известные формулы, аналогичные формулам для некомпенсированного полупроводника. Полученная зависимость барьерной емкости от напряжения смещения сопоставляется в основном с результатами экспериментальных исследований вольтфарадных характеристик различных структур из карбида кремния

• Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2003.
• Известия высших учебных заведений. Электроника [Текст] : научно-технический журнал. — М., 2003. — №4.