мікроелектроніка, микроэлектроника, microelectronics ; моделювання, моделирование, modeling, simulation
С помощью моделирования методом Монте-Карло рассчитана детальная структура кластера радиационных дефектов, возникающего при облучении Si и GaAs быстрыми нейтронами. Показано, что возникающие при действии больших электрических полей в субмикронных полупроводниковых приборах "горячие" электроны могут проникать между отдельными субкластерами в кластере радиационных дефектов
