Гущин, С. М.     Эпитаксиальные структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе слоев GaAs:Sn,Cr [Текст] / С.М. Гущин, Л.П. Пороховниченко, В.П. Гермогенов, О.Г. Шмаков // Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. — М., 2003. — №5. — С.32-37.