Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Козлов, А. В.
    Механизм возникновения отрицательной относительной чувствительности по току латеральных биполярных магнито-чувствительных транзисторов [Текст] / А.В. Козлов, М.А. Ревелева, Р.Д. Тихонов // Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. — М., 2003. — №5. — .57-62.


- Ключові слова:

транзистори, транзисторы, transistors ; моделювання, моделирование, modeling, simulation ; біофізика, биофизика, biofizyka

- Анотація:

С помощью современного двумерного приборно-технологического моделирования исследована рекомбинация по механизму Шокли-Рида-Холла в объеме материального биполярного магниточувствительного транзистора, сформированного в диффузионном кармане. Показано, что при выборе определенных параметров кармана и режима работы с одинаковым потенциалом на подложке и кармане в объеме прибора формируются потоки электронов и дырок, идущих на рекомбинацию. При воздействии магнитного поля на эти потоки возникает объемный концентрационно-рекомбинационный механизм отрицательной относительной магниточувствительности по току.

- Є складовою частиною документа:

Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки   Перейти на сайт