|
-
Ключові слова:
напівпровідники, полупроводники, semiconductors, Halbleiter ; комп'ютерні технології, компьютерные технологии, computer technologies ; мікроелектроніка, микроэлектроника, microelectronics ; інтегральні мікросхеми, ІМС, интегральные микросхемы, ИМС, integrierte Mikroschaltungen
-
Анотація:
Для создания p+-областей GaAs, AlGaAs исследовано влияние режимов работы ионного легирования и импульсного фотонного отжига на распределение концентрации внедренных примесей по толщине структур. Установлено, что использование импульсного фотонного отжига в условиях высокого давления ионно-легированных Be и Zn структур GaAs позволяет в 2-3 раза повысить степень активации примесей и существенно уменьшить процессы деструктирования поверхности GaAs
-
Є складовою частиною документа:
|
