електронна техніка, электронная техника ; гальванотехніка, гальванотехника ; мікроелектроніка, микроэлектроника, microelectronics ; транзистори, транзисторы, transistors

Приведены результаты исследований электрических параметров подзатворного окисла р-канальных МДП-транзисторов. При формировании областей сток-исток использовался ион BF2+. Показано, что количество "внешних" дефектов в подзатворном оксиде МДП-структур снизилось в три раза, ток, при котором происходил пробой подзатворного диэлектрика, увеличился от 1 до 5-6 мА; снижен эффективный заряд в позатворном диэлектрике

Известия высших учебных заведений. Электроника [Текст] : научно-технический журнал. — М., 2003. — №6.