Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Старостенко, В. В.
    Влияние толщины металлизации на стойкость интегральных микросхем при воздействии электромагнитных полей [Текст] / В.В. Старостенко, Е.П. Таран, Г.И. Чурюмов та ін. // Прикладная радиоэлектроника : научно-технический журнал. — Х., 2003. — 1. — С.88-92.


Автор: Старостенко В.В., Таран Е.П., Чурюмов Г.И., Зуев С.А., Ахрамович Л.Н.

- Ключові слова:

електромагнітне поле, электромагнитное поле, electromagnetic field ; математичні моделі, математические модели, mathematical models ; інтегральні мікросхеми, ІМС, интегральные микросхемы, ИМС, integrierte Mikroschaltungen

- Анотація:

Приведены особенности построения математической модели воздействия электромагнитных полей на интегральные микросхемы большой степени интеграции с толщиной проводящих микроструктурных элементов субмикронных размеров

- Є складовою частиною документа:

Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки   Перейти на сайт