Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Басиев, Т. Т.
    Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb [Текст] / Т.Т. Басиев, Н.Е. Быковский, В.А. Коношкин, Ю.В. Сенатский // Квантовая электроника : научный журнал. — М., 2004. — 12. — С.1138-1142.


- Ключові слова:

кристали, кристаллы, Krisrtalle, crystals ; ексимерні лазери, эксимерные лазеры ; лазери, лазеры, lasers

- Анотація:

Для накачки Yb:YAG-лазера c 20%-ной концентрацией активатора применен лазер на центрах окраски LiF:F2+, излучавший в спектральном диапазоне 0.89—0.95 мкм. В малых объемах оптически плотной активной среды YAG:Yb удалось перевести на метастабильный уровень иттербия 2F5/2 до 10% от общего числа ионов активатора, что соответствует запасенной в среде плотности энергии 30 Дж/см3. Получена генерация наносекундных импульсов на переходах между штарковскими компонентами уровней 2F5/2 и 2F7/2 ионов Yb3+ на длинах волн около 1.03 и 1.05 мкм. Обсуждается возможность применения кристаллов и керамики YAG:Yb в качестве активной среды мощного лазера-драйвера для экспериментов по лазерному термоядерному синтезу.

- Зміст:

Применение лазера

- Є складовою частиною документа:

Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки   Перейти на сайт