|
-
Ключові слова:
напівпровідники, полупроводники, semiconductors, Halbleiter ; випромінювання, излучение, Strahlung ; лазери, лазеры, lasers
-
Анотація:
Обсуждаются эксперименты, позволяющие получить высокие концентрации носителей (5times10{19}-10{20} см{-3}) в полупроводнике с помощью фемтосекундных импульсов излучения. При таких концентрациях ожидается образование бозе-конденсата электронно-дырочной плазмы при комнатной температуре, сопровождающееся явлением сверхизлучения. Определена минимальная (пороговая) энергия, которая должна быть поглощена в элементарном акте для получения заданной концентрации свободных носителей. При значительной концентрации носителей в зоне проводимости арсенида галлия могут возникать носители с разным знаком массы, а следовательно, возможно эффективное кулоновское притяжение между носителями одной зоны, что нужно учитывать при образовании коррелированного состояния носителей.
-
Зміст:
-
Є складовою частиною документа:
|
