Опис документа

Исследованы лазерные характеристики кристалла Cr2+:ZnSe, выращенного методом свободного роста на монокристаллическую затравку с использованием физического транспорта в гелии. Легирование проводилось из паровой фазы непосредственно во время роста. Достигнутая концентрация ионов Cr2+ (5times10{18} см{-3}) обеспечивает коэффициент поглощения 4.5 см{-1} в максимуме полосы накачки (1.78 мкм). При накачке излучением импульсного Co:MgF2-лазера с длиной волны 1.67 мкм получен дифференциальный КПД 59% по поглощенной энергии, что соответствует квантовой эффективности 87%.