Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Cмирнов, В. В.
    Влияние разориентации R-плоскости сапфира на процесс гетероэпитаксиального осаждения нитридов алюминия и галлия [Текст] / В.В. Cмирнов // Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. — М., 2005. — №1. — С.5-12.


- Ключові слова:

технології, технологии,technologies ; мікроелектроніка, микроэлектроника, microelectronics

- Анотація:

Исследовано влияние разориентации подложки сапфира в направлении 2110 или 2110 при нулевой разориентации в направлении 0111 Аl203 на структурные свойства эпитаксиальных слоев Gan u AIN

- Зміст:

Технология микроэлектроники

- Є складовою частиною документа:

Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки   Перейти на сайт