мікроелектроніка, микроэлектроника, microelectronics ; напівпровідникові прилади, полупроводниковые приборы, semiconductor devices

Проведены исследования структуры кремний з-типа-золото. для данного сочетания получена наиболее длинноволновая граница фоточувствительности и малые темновые токи. Рассмотрены особенности формирования фотоприемников с широким спектральным диапазоном на основе приборов с зарядовой связью с барьером Шотки.

Микроэлектроника и полупроводниковые приборы

• Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2005.
• Известия высших учебных заведений. Электроника [Текст] : научно-технический журнал. — М., 2005. — №1.

• УДК // Фотоелектричні лампи та елементи