Опис документа

Влияние легирования кремнием на особенности образования микродефектов вдоль слитка в монокристаллах GaAs ( Si) [Текст] / В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев, М.И. Воронова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — C.75-77.
Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переключения кристаллов ТГС и ДТГС [Текст] / В.В. Ефимов, В.В. Иванов, Т.И. Иванова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.62-64.
Влияние природы субстрата на электретные свойства двуслойных полимерных пленок [Текст] / М.Ф. Галиханов, А.А.Дебердеев Козлов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.47-49.
Зависимость физико-механических свойств конструкционных материалов электронной техники от текстуры [Текст] / А.Р. Гохман, В.К. Жуковский // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.70-74.
Закономерности образования трехкомпонентных твердых растворов в условиях МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А.А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.17-23.
Исследование кинетики растворения YVJ4 в V2O5 и других соединениях ванадия [Текст] / Л.О. Бессонова, И.Ю. Крылова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.39-42.
Кинетика и механизмы окисления поликристаллических слоев селенида свинца, легированных висмутом [Текст] / Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.23-28.
Моделирование микрокинетики роста кристалла полупроводника из жидкой фазы [Текст] / Е.А. Шуников, Ю.П. Хухрянский // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.58-61.
Нелокальное уравнение диффузии в материалах со стехиометрическими вакансиями [Текст] / В.Ф. Антюшин, А.В. Буданов, Д.С. Кухаренко, Д.А. Палишкин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.55-57.
Новая технология получения кремния для СВЧ-устройств [Текст] / А.В. Еремеев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.12-17.
Описание атомных механизмов полиморфных превращений с помощью перегруппировки [Текст] / К.М. Розин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.42-46.
Особенности образования малоугловой блочной структуры ( МОЗАИКИ) в кристаллах флюорита, выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера [Текст] / Б.Г. Иванов, Е.С. Каева, Д.И. Клименченко // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.34-38.
Полимерно-полиморфоидная природа жидкой и стеклообразной H20 [Текст] / В.С. Минаев, И.М. Терашкевич, С.П. Тимошенков // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — C.4-11.
Структура и электрофизические свойства мультикристаллического кремния [Текст] / Б.А. Красин, А.И. Непомнящих, А.С. Токарев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.28-34.
Увлечение электронов фононами, обусловленное электронно-колебательными переходами в материалах [Текст] / В.А. Вдовенков // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.65-69.
Физико-химическое моделирование смачивания подложек нитрида алюминия металлическими расплавами [Текст] / А.С. Пашинкин, Л.В. Кожитов, А.В. Кольцов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.50-55.