Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Найда, Г. А.
    Технологические закономерности выращивания структур AIN и GAN на сапфире при использовании неорганических донорно-акцепторных комплексов [Текст] / Г.А. Найда, В.В. Смирнов // Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. — М., 2005. — №3. — С.7-13.


- Ключові слова:

мікроелектронні технології, микроэлектронные технологии ; технології, технологии,technologies ; мікроелектроніка, микроэлектроника, microelectronics

- Анотація:

Исследован процесс выращивания гетероэпитаксиальных слоев нитридов алюминия и галлия методом пиролиза комплексных соединений GaX3NH3 и ALX3NH3 на подложках ( 0001) и (1012) сапфира. Рассмотрено влияние технологических параметров на качество слоев. Структура слоев исследовалась рентгеновским дифрактометрическим и электронографическим методами, морфология- методами оптической и растровой электронной микроскопии.

- Зміст:

Технология микроэлектроники

- Є складовою частиною документів:

- Теми документа

  • УДК // Ізоляційні матеріали. Ізолятори. Монтажні пристрої, опори тощо. Електроізоляційна арматура ліній електропередач



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки   Перейти на сайт