|
-
Ключові слова:
напівпровідникові прилади, полупроводниковые приборы, semiconductor devices
-
Анотація:
Предложена модель для субмикронных транзисторов с высокой подвижностью электронов, в котором наряду с эффектом насыщения дрейфовой скорости электронов проведен учет доминирующих эффектов короткого канала. На основе полученной модели рассчитаны характеристики S - параметров и проведено их сравнение
-
Зміст:
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы
-
Є складовою частиною документа:
| 