напівпровідникові прилади, полупроводниковые приборы, semiconductor devices

Предложена аналитическая модель неизотермического распределения плотности мощности в планарных структурах биполярных транзисторов, основанная на приближении локальной тепловой обратной связи и учитывающая действие регулярных и случайных причин неоднородного изотермического токораспределения

Микроэлектроника и полупроводниковые приборы

• Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2005.
• Известия высших учебных заведений. Электроника [Текст] : научно-технический журнал. — М., 2005. — №3.

• УДК // Диференціальні рівняння. Інтегральні рівняння. Інші функціональні рівняння. Скінченні різниці. Варіаційне