Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Мармалюк, А. А.
    Получение GaAs - методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А.А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — С.21-24.


- Ключові слова:

матеріалознавство, материаловедение ; матеріали електронної техніки, материалы электронной техники

- Анотація:

Показано, что скорость роста прямо пропорциональна порциальному давлению триэтилгаллия, не зависит от парциального давления арсина и зависит от относительной температуры (Т/298) в степени 1,8, что отражает диффузионный режим роста, лимитируемый доставкой компонентов третьей группы.

- Зміст:

Материаловедение

- Є складовою частиною документів:

- Теми документа

  • УДК // Електронні напівпровідники
  • УДК // Кристалографія



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки   Перейти на сайт