матеріалознавство, материаловедение ; матеріали електронної техніки, материалы электронной техники
Показано, что скорость роста прямо пропорциональна порциальному давлению триэтилгаллия, не зависит от парциального давления арсина и зависит от относительной температуры (Т/298) в степени 1,8, что отражает диффузионный режим роста, лимитируемый доставкой компонентов третьей группы.