Опис документа

Щербачев, К. Д.
Изменение структуры слоя Si в КНИ после имплантации ионов Ar+ [Текст] / К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, Д.М. Пажин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — C.71-74.

- Ключові слова:

атомне матеріалознавство, атомное материаловедение ; матеріали електронної техніки, материалы электронной техники ; атоми, атомы, Atome

- Анотація:

Методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения исследованы особенности образования устойчивых радиационных дефектов в тонком слое кремния структур " кремний -на - мзоляторе"

- Є складовою частиною документів:

- Теми документа

УДК // Аналіз кристалів із застосуванням рентгенівських променів ( рентгенографічний аналіз )
УДК // Дефекти в кристалах
УДК // Електронні напівпровідники

Наявність

Установа Кількість Документ на сайті установи

Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського Перейти на сайт

Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки Перейти на сайт