Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Haldun, Kufluoglu
    Quantum–Mechanical Effects in Trigate SOI MOSFETs [Електронний ресурс] [Текст] / Kufluoglu Haldun, Ashraful Muhammad // IEEE Transactions on Electron Devices . — USA, 2006. — 5. — Pp. 1131-1136.


- Ключові слова:

напівпровідникові пристрої, полупроводниковые устройства ; моделювання, моделирование, modeling, simulation ; SOI ; Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET

- Анотація:

A self-consistent Poisson–Schrцdinger solver is used to calculate the current in trigate n-channel silicon-on-insulator transistors with sections down to 2 nm X 2 nm. The minimum energy of the subbands and the threshold voltage increase as the cross-sectional area of the device is reduced and as the electron concentration in the channel is increased. As a consequence, the threshold voltage is higher than predicted by classical Poisson solvers. The current drive is diminished, and the subthreshold slope is degraded, especially in the devices with the smallest cross sections.

- Електронні версії документа:

- Є складовою частиною документа:

Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки   Перейти на сайт