|
-
Ключові слова:
квантова механіка, квантовая механика, quantum mechanics ; SOI ; Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET
-
Анотація:
In this paper, a detailed study on the scaling limit of ultrathin silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs is presented. Due to the penetration of lateral source/drain fields into standard thick buried oxide, the scale-length theory does not apply to thin SOI MOSFETs.
-
Електронні версії документа:
-
Є складовою частиною документа:
| 