|
-
Ключові слова:
комплементарна логіка на транзисторах метал-окид-напівпровідник, КМОН, комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник,КМОП, CMOS-technology ; Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET ; Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS ; CMOS
-
Анотація:
The correlation between the stoichiometry of Hf-SiON gate dielectrics and mixed-signal properties of low-power MOSFETs is investigated. MOSFETs with gate length L down to 100 nm were fabricated in a conventional fabrication flow with a thermal budget of 1000C.
-
Електронні версії документа:
-
Є складовою частиною документа:
| 