Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Ivanov, Pavel
    Temperature Dependence of the Current Gain in Power 4H-SiC NPN BJTs [Електронний ресурс] [Текст] / Pavel Ivanov, Michael Levinshtein, Anant Agarwal та ін. // IEEE Transactions on Electron Devices . — USA, 2006. — 5. — Pp. 1245-1249.


Автор: Ivanov Pavel, Levinshtein Michael, Agarwal Anant, Krishnaswami Sumi, Palmour John

- Ключові слова:

біполярні транзистори, БПТ, биполярные транзисторы, bipolar transistors ; транзистори біполярні, транзисторы биполярные ; кремній, кремний

- Анотація:

For 1-kV 30-A 4H-SiC epitaxial emitter n-p-n bipolar junction transistors, the dependences of the common–emitter current gain Вce on the collector current IC were measured at elevated temperatures. The collector–emitter voltage was fixed (at 100 V) to provide an active operation mode at all collector currents varying in a wide range from 150 mA to 40 A (current densities of 24–6350 A/cm2).

- Електронні версії документа:

- Є складовою частиною документа:

Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки   Перейти на сайт