|
-
Ключові слова:
комплементарна логіка на транзисторах метал-окид-напівпровідник, КМОН, комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник,КМОП, CMOS-technology ; Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET ; Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS
-
Анотація:
Process-induced strain using a high-tensile contact etch stop layer has demonstrated 18% transconductance and 18% driving current enhancement at a gate length/width of 80 nm/0.6 мm for bulk nMOSFETs without degrading the device performance of pMOSFET. A superior current drive at 917 мA/мm for nMOSFET is achieved with 1.7-nm gate oxide, 80-nm gate length, and 1.2-V operation voltage. The gate delay for an inverter ring oscillator is improved up to 13%.
-
Електронні версії документа:
-
Є складовою частиною документа:
| 