|
-
Ключові слова:
комплементарна логіка на транзисторах метал-окид-напівпровідник, КМОН, комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник,КМОП, CMOS-technology ; моделювання, моделирование, modeling, simulation ; Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS
-
Анотація:
This paper proposes a simple and accurate expression for inverter effective drive current for nanoscale Si and carbon nanotube FET (CNFET) performance benchmarking. The proposed metric indicates that the performance enhancement of CNFETs over Si MOSFETs is not as large as that predicted by IDsat in a circuit environment because of the nonideal I–V characteristics.
-
Електронні версії документа:
-
Є складовою частиною документа:
| 