Зведений каталог бібліотек Харкова

 
Пошук Відібрані Опис документа
Початкова сторінка Сайт УФД

Lin, Y. S.
    Gate Capacitances Behavior of Nanometer FD SOI CMOS Devices With HfO2 High-k Gate Dielectric Considering Vertical and Fringing Displacement Effects Using 2-D Simulation [Електронний ресурс] [Текст] / Y.S. Lin, C.H. Lin, J.B. Kuo, K.W. Su // IEEE Transactions on Electron Devices . — USA, 2006. — 6. — Pp. 1373-1378.

- Ключові слова:

діелектрична проникність, диэлектрическая проницаемость ; SOI ; Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET

- Анотація:

This paper reports the gate–source (drain)/source (drain)–gate capacitance behavior of 100-nm fully depleted silicon-on-insulator CMOS devices with HfO2 high-k gate dielectric considering vertical and fringing displacement effects. Based on the two-dimensional simulation results, a unique two-step CS(D)G/CGS versus VG curve could be identified for the device with the 1.5-nm HfO2 gate dielectric due to the vertical and fringing displacement effects.

- Електронні версії документа:

- Є складовою частиною документа:

Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки   Перейти на сайт