|
Автор: Файзулаев Б.Н., Шагурин И.И., Кармазинский А.Н., Алюшин М.В., Мозговой Г.П.
-
Ключові слова:
біполярні транзистори, БПТ, биполярные транзисторы, bipolar transistors ; матричні НВІС, матричные СБИС ; надвеликі інтегральні схеми, НВІС, сверхбольшие интегральные схемы, СБИС ; схемотехніка ВІС, схемотехника БИС
-
Теми документа
-
УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
-
УДК // Мікроелектроніка. Інтегральні схеми
|
