|
-
Ключові слова:
іонізуюче випромінювання, ионизирующее излучение, ionisierende Strahlung ; електричні поля, электрические поля, electric fields ; електронна техніка, электронная техника ; кристали AII BVI сполук, кристаллы AII BVIсоединений ; кристали ZnSe, кристаллы ZnSe ; технологія післяростової модифікації, технология послеростовой модификации ; фотоелектричні явища, фотоэлектрические явления
-
Анотація:
Работа посвящена разработке научных основ технологии послеростовой модификации электрофизических и фотоэлектрических свойств кристаллов ZnSe И Cd [1-x ] Zn [ x ]Te для электронной техники. Разработаны методы измерения приповерхностного электростатического потенциала, удельного электросопротивления без изготовления электрических контактов, а также метод, обеспечивающий расширение пределов и повышение точности измерений диэлектрических постоянных кристаллов с помощью куметра.
-
Теми документа
-
УДК // Електронні напівпровідники
|
