розплави металів, расплавы металлов ; кремній, кремний ; монокристали, монокристаллы ; напівпровідникові матеріали та вироби, полупроводниковые материалы и изделия ; структура, structure ; дислокація (техн.), дислокация

Дисертація присвячена розробці науково-обгрунтованих методів для контролю деформацій, механічних напруг структурної досконалості і створення на їх основі принципів конструювання вимірювального і ростового обладнання, яке дозволяє безруйнівним методом експресно контролювати на усіх стадіях напівпровідникового виробництва геометричні параметри і внутрішню напругу напівпровідникових пластин і структур, а також створенню апаратури для контролю структурної досконалості напівпровідникових кристалів в процесі вирощування. Розроблені методики і конструкції плоских інфрачервоних полярископів "Мираж-1" та "Мираж-2" , за допомогою яких досліджено технологічні процеси високотемпературної обробки. Проведено теоретичний аналіз і експериментально підтверджений взаємозв"язок полів внутрішніх напруг з щільністю дислокацій Nv. Розроблена методика контролю щільності дислокацій, в процесі дослідження жорсткості кремнієвих структур (КС) виявлено нове явище: зміна форми (згибу) КС після прикладення імпульса нагруження з високою швидкістю. Розроблена і включена до виробництва на ЗАТ "Чисті метали" автоматизована інформаційно-аналітична система для вирощування злитків кремнія великого діаметру АСУ "Кремінь", що дозволило значно знизити брак вирощуваних злитків кремнію по діаметру і поліпшити структурну досконалість монокристалів.

• УДК // Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники