Дисертацію присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п"єзоопору в Si та Ge p-типу провідності для розробки на цій основі сенсорів механічних величин. Проведена теоретико-групова класифікація деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлені дозволені фізичні моделі п"єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п"єзоопір в широкому діапазоні різнополярних деформацій -1,2%...+1% і визначені деформаційні залежності їх констант п"єзо- та еластоопору. Встановлено, що у деформованих Si та Ge як важкі, так і легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, які залежать від енергії та деформації. Визначено взаємозв"язок п"єзоопору та структури в тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ-структур.
