Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники

Електронні напівпровідники

Документи:

• 3d- інтеркаляційна модифікація шаруватих кристалів для пристроїв спінтроніки та молекулярної енергетики [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук : 01.04.07- фізика твердого тіла / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Нац. ун-т "Львівська політехніка". — Львів, 2011. — 20 с.
• Авиационное электрорадиоматериаловедение [Текст] : конспект лекций / М-во высш. и сред. спец. образования СССР, Харьк. авиац. ин-т им. Н. Е. Жуковского. — Х. : ХАИ, 1981. — 85 с.
• Авиационное электрорадиоматериаловедение [Текст] : учеб. пособие по лаб. практикуму / М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т". — Х. : Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т", 2005. — 88 с.
• Авіаційне електрорадіоматеріалознавство [Текст] : навч. посіб. до лаб. практикуму / М-во освіти України, Держ. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". — Х. : Держ. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т", 1999. — 87 с.
• Автоматизированный измеритель вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур [Текст] / В.В. Наумов, О.А. Гребенщиков, В.Б. Залесский // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 164-165.
• Автоматизований комплекс для вимірювань термоелектричних параметрів напівпровідників [Текст] / М.О. Галущак, Б.С. Дзундза, А.І. Ткачук, Д.М. Фреїк // . — С. 79-83.
• Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристалах Ge [Текст] / Я.М. Олих, И.А. Лисюк, Н.Д. Тимочко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 9-13.
• Акустофотовольтаический эффект в монокристаллах InGaTe2 и InGase2 [Текст] / Э.М. Годжаев, У.С. Абдурахманова, П.Ф. Алиева // Радиотехника. — Х., 2014. — С. 52-58.
• Алгоритм определения координат движущегося объекта. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 2005. — С. 77-80.
• Анализ контраста электронно-микроскопических изображений D-микродефектов. [Текст] / Запоржская государственная инженерная академия // . — С. 50-53.
• Анализ реальной структури ионоимплантированых слоев по карте обратного пространства. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 72-76.
• Анализ теплового поражения полупроводниковых приборов мощными электромагнитными импульсами. [Текст] / В.Д. Добыкин // Радиотехника и электроника. — 2004. — С. 365-372.
• Аналіз діодних характеристик плівкових сонячних елементів на основі CdTe. [Текст] / Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 1188-1191.
• Аноксидные материалы для электронной техники [Текст] : [моногр.] / Ю.В. Ворошилов, В.Ю. Сливка. — Львов : Высшая школа, 1989. — 200 с.
• Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки-Мотта [Текст] / НПО "Физика-Солнце", г.Ташкент, Узбекистан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 27-30.
• Биполярные гетеротранзисторы на основе SiGe и A IIIBv [Текст] / Московский институт стали и сплавов // . — С. 4-21.
• Вакансионные микродефекты в бездислокационных монокристаллах кремния. [Текст] / Институт государственного и муниципального управления, Украина // . — С. 14-19.
• Введение в технологию полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. пособие для вузов / С.А. Медведев. — М. : Высшая школа, 1970. — 503 с.
• Введение в химию полупроводников [Текст] : учеб. пособие для вузов / Я.А. Угай. — М. : Высшая школа, 1965. — 334 с.
• Взаимодействие потоков заряженных частиц с плазменными колебаниями в пластине [Текст] / С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В Яковенко // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 204-208.
• Взаимодействие точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния [Текст] / Гуманитарный университет "Запорожский институт государственного и муниципалного управления", Украина // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 27-40.
• Відпал кластерів дефектів у зразках Si та Si(Ge), вирощених методом Чохральського [Текст] / Інститут ядерних досліджень НАН України // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 372-377.
• Вклад гиредмета в развитие технологии и материаловедения полупроводников. [Текст] / ФГУП "Гиредмет" // . — С. 8-16.
• Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки [Текст] / Комплексный институт естественных наук ККО АН РУз // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2008. — С. 31-43.
• Влияние алюминия на механизм роста и физические свойства слоев ZnO:Al [Текст] / А.Х. Абдуев, А.Ш. Асваров, А.К. Ахмедов та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 71-73.
• Влияние высокоэнергетического тормозного излучения и термообработки на параметры моп-транзистора. [Текст] / Ургенчский государственный университет, Республика Узбекистан // . — С. 54-56.
• Влияние германия и гадолиния на диффузию бора в кремний из примесно-силикатного источника [Текст] / Институт химии силикатов им.И.В.Гребенщикова РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 22-26.
• Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на кинетику образования и отжига радиоционных дефектов в кристаллах n-SI. [Текст] / Грузинский технический университет // Український фізичний журнал. — 2005. — С. 477-482.
• Влияние легирования редкоземельными элементами на структуру поверхностного слоя кремния. [Текст] / Самарский государственный университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 72-74.
• Влияние металла на поверхностные электронные состояния кремния в слоистой системе Me-Ga(2)Se(3)-(SiOx)Si. [Текст] / Воронежская государственная технологическая академия. // . — С. 18-25.
• Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs [Текст] / В.В. Миленин, Р.А. Редько, С.Н. Редько // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2006. — С. 77-80.
• Влияние облучения реакторными нейтронами и отжигов на структуру монокристаллов InP. [Текст] / В.Т. Бублик, М.И. Воронова, К.Д. Щербачев та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 16-25.
• Влияние поляризационных эффектов и поверхностных состояний на характеристики полевых GaN-гетеротранзисторов [Текст] / А.Н. Ковалев // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 4-13.
• Влияние примесей на электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок PbSe [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 "Физика полупроводников и диэлектриков" / Черновицкий гос. ун-т. — Черновцы, 1986. — 18 с.
• Влияние процесса анодного окисления кремния на параметры диффузии примесей бора и фосфора из легированных оксидных пленок. [Текст] / Таганрогский государственный радиотехнический университет // Известия вузов. Электроника. — 2004. — С. 25-32.
• Влияние разориентации R-плоскости сапфира на процесс гетероэпитаксиального осаждения нитридов алюминия и галлия. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники (технический университет) // Известия вузов. Электроника. — 2005. — С. 5-11.
• Влияние режима формирования анодных оксидных пленок кремния в гальваностатическом режиме на содержание в них фосфора [Текст] / Технологический институт Южного Федерального университета в г.Таганроге // Известия вузов. Электроника. — 2008. — С. 68-69.
• Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжтга на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si [Текст] / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 3-4.
• Влияние режимов конвективного теплообмена в системе тигель-расплав-кристалл на форму фронта кристаллизации в методе Чохральского [Текст] / Институт теплофизики СО РАН. // . — С. 177-186.
• Влияние режимов окисления и отжига на дефектность кремния в структурах с диэлектрической изоляцией. [Текст] / О.А. Толстенок, Т.А. Холомина // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 32-34.
• Влияние режимов термообработки на удельное сопротивление омического контакта к монокристаллам GаAS p-типа [Текст] / Е.П. Марковский // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2005. — С. 63-68.
• Влияние режимов формирования на свойства ионно-легированных карбид-кремниевых диодных структур [Текст] / Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г.Москва, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — С. 7-14.
• Влияние содержания В2О3 и условий роста на структурное совершенство кристаллов GaAs(Si), выращенных методом вертикально направленной кристаллизации [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // . — С. 46-49.
• Влияние способов пластической деформации на механические свойства монокристаллов кремния. [Текст] / Институт физики Дагестанского научного центра РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 28-31.
• Влияние структуры мультикристаллического кремния для фотоэлектрических преобразователей на эффективное время жизни неравновесных носителей заряда [Текст] / Запорожский национальный университет, Украина // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 8-10.
• Влияние технологии обработки поверхности многокомпонентных оксидных соединений со структурой силленита на кинетику электронных переходов в приповерхностных областях [Текст] / Курский государственный технический университет // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 8-12.
• Влияние "тигельного" экрана на тепловое поле и распределение ростовых микродефектов вс монокристаллах кремния диаметром 200 мм. [Текст] / Институт проблем механики РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 17-21.
• Влияние толщины базовой области на токовые и фтотэлектрические характеристики структур с барьером Шоттки [Текст] / Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН Республики Узбекистан , Ташкент // . — С. 188-192.
• Влияние ультразвуковой обработки на структуру энергетического спектра электронных ловушек в кристаллах ZnS [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 39-42.
• Влияние упругих напряжений на сегрецию индия в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии: математическая модель и вычислительный эксперимент [Текст] / Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В.Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 15-21.

1   2    3    4    5    6    7    8    9    10