Електронні напівпровідники
Документи:
- Фотоэлектрические свойства твердых растворов [Текст] : отчет о НИР (промежуточ.) : Г306-24/86 / ХАИ; рук. Завертанная Л.С.; исполн.: Петрова О.И., Гаплевская С.П., Васильева Е.А. — Х., 1988. — 26 с.
- Фотоэлектрические свойства pInSb-nCdTe гетероперехода, полученного лазерно-импульсным осаждением [Текст] / А.Г. Алексанян, Н.С. Арамян, Р.П. Григорян та ін. // Успехи современной радиоэлектроники. — 2006. — С. 83- 86.
- Фотоэлектрические характеристики микрослойных фитодиодных pAlGaIn(Zn) - nGaAs - Au - структур [Текст] / Д.М. Ёдгорова, Ф.М. Ашрапов // Инженерно-физический журнал. — 2007. — С. 166-172.
- Фотоелектромагнітний ефект в епітаксійних шарах Cd xHg 1-x Te. [Текст] / Інститут фізики напівпровідників НАН України // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 160-166.
- Фотоиндуцированные изменения плотности электронных состояний в щели подвижности компенсированного a-Si : Н. [Текст] / Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова // . — С. 63-66.
- Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si : H(Р) [Текст] / МГУ им. М.В.Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 16-18.
- Фотолюминесцентная диагностика полупроводниковых транзисторных структур на основе арсенида галлия и его соединений [Текст] / Н.Г. Яременко, В.А. Страхов, М.В. Карачевцева // Успехи современной радиоэлектроники. — 2005. — №12. — С. 63-69.
- Фотоприймачі іч випромінювання на основі твердих розчинів HgMnTe, HgCdMnTe та HgCdZnTe [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01 "Фізика приладів, елементів і систем" / НАН України та МОНУ, Ін-т термоелектрики. — Чернівці, 2002 . — 20 с.
- Фотосциляции в многослойных естественных гетероструктурх вюрцит-сфалерит [Текст] / М.В. Шолкина // Системы управления летательных аппаратов : тематич. сб. науч. тр. / ХАИ. — Х. : ХАИ, 1982. — С. 141-146.
- Фоточувствительность видиконов с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник [Текст] / Н.Ф. Ковтонюк, В.П. Мисник, А.В. Соколов, В.Л. Туманов // . — С. 1518-1522.
- Фоточутливі елементи і тонкоплівкові інтерференційні фільтри на базі CdSb [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.01 "Фізика приладів, елементів і систем" / Ін-т термоелектрики. — Чернівці, 2002. — 20 с.
- Фрактальный анализ упорядоченности поверхностных микроструктур. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники (технический университет) // Известия вузов. Электроника. — 2005. — С. 25-31.
- Функционально интегрированное устройство на основе кремния для измерения температуры [Текст] / Московский институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 63-66.
- Химическая связь в полупроводниках и термодинамика [Текст] / Научн. совет по полупроводникам АН СССР ; Ин-т физики твердого тела и полупроводников АН БССР. — Минск : Наука и техника, 1966. — 340 с.
- Химическое осаждение из паровой фазы гетеро- и наноструктур соединений III–V. [Текст] / НУ “Львовская политехника”, г.Львов, Украина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 36-40.
- Численное моделирование динамики фазовых переходов в теллуриде кадмия при наносекундном лазерном воздействии [Текст] / С.П. Жвавый, Г.Л. Зыков // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 19-24.
- Чудеса и проблемы полупроводникового наномира. [Текст] / С. Кузнецов // Открытые системы. СУБД. — 2005. — С. 66-68.
- Ширина екситонної смуги в напівмагнітних напівпровідниках з квантовими ямами: вплив нерівностей гетеромереж та спін-фліп процесів. [Текст] / Інститут ядерних досліджень НАН України, м.Київ // Український фізичний журнал. — К., 2005. — С. 73-79.
- Явище бістабільності в резонаторі з нелінійною границею у вигляді напівмагнітного напівпровідника. [Текст] / Інститут радіофізики та електроніки ім. О.Я.Усикова НАН України // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 256-260.
- Amorphous Semiconductor Technologies and Devices [Текст] / Hamakawa Y.(edit.). — Tokyo, New York : NORTH-HOLLAND, OHM, 1987. — 318 p.
- Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures [Текст] / National Academy of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics; edit. A.E. Belyaev, R.V. Konakova. — Kharkiv : NTC "Institute for Single Crystals", 2007. — 216 p.
- Halbeiterwerkstoffe [Текст] / Hadamovasky H.F.(red.). — Leipzig : VEB Deutscher Verlag fur Grundstoffindustrie, 1968. — 290 s.
- Intrasubband Plasmons in a Finite Array of Quantum Wires Containing a Displaced Quantum Wire [Текст] = Внутрішньопідзонні плазмони у скінченному масиві квантових дротів зі зміщеним квантовим дротом / Yu.V. Bludov, O.V. Shramkova // Український фізичний журнал. — 2005. — C. 709-715.
- Intrasubband plasmons in a finite array of quantum wires plased into an external magnetic field. [Текст] = Внутриподзонные плазмоны в конечном массиве квантовых проволок. помещенных во внешнее магнитное поле. / Институт радиофизики и электроники.НАН Украины, г.Харьков // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 1020-1029.
- On the formation of vacancy microdefects in dislocation-free silicon single crystals [Текст] / V.I. Talanin, I.E. Talanin // Український фізичний журнал. — 2006. — C. 1109-1113.
- Refractive optical non-linearity in Ge cristals caused by inter-valley redistribution of "hot" electrons [Текст] / V.A. Ignatenko, V.N. Poroshin, O.G. Sarbey // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 1092-1095.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
|
