Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
Підтеми:
Документи:
- Микросхемотехника [Текст] : учеб. пособие / под ред. И. П. Степаненко. — Москва : Радио и связь, 1982. — 414 с.
- Микросхемы АЦП и ЦАП [Текст] : справ. — М. : Додэка-XXI, 2005. — 432 c. + CD-ROM.
- Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры [Текст] : Справочник / И.В. Новаченко, В.М. Петухов, И.П. Блудов, А.В. Юровский. — М. : Радио и связь, 1993. — 384с.
- Микросхемы для современных импульсных источников питания [Текст]. — М. : ДОДЭКА, 1999. — 288 с.
- Микросхемы интегральные серии КР556...КР573 [Текст] : справочник / Российский НИИ "Электронстандарт". — СПб. : РНИИ"Электронстандарт", 1993. — 256 с.
- Микросхемы памяти и их применение [Текст] / О.Н. Лебедев. — Москва : Радио и связь, 1990. — 158 с.
- Микросхемы памяти.ЦАП и АЦП. [Текст] : справочник / О.Н. Лебедев, А.Й.К. Марцинкявичюс, Э.А.К. Багданскис, Р.Л.и Пошюнас. — 2-е изд.,стеpеотип. — М. : "КУбК-а", 1996. — 384с.
- Микросхемы серии К224 в телевизоре цветного изображения [Текст] / К.Н. Сухов, А.Ф. Олдин, В.М. Чистов. — М. : Советское радио, 1976. — 21 с.
- Минимально необходимый объем испытаний изделий микроэлектроники на этапе входного контроля [Текст] / ОАО „ Испытательный технический центр - НПО ПМ". // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 58-62.
- Минимизация числа пустот в бессвинцовых соединениях [Текст] / А. Мельниченко // Электронные компоненты и системы. — 2007. — №12. — С. 46-47.
- Мікроелектронні датчики нового покоління для інтелектуальних систем [Текст] : довідник / Я.І. Лепіх, Ю.О. Гордієнко, С.В. Дзядевич та ін. — Одеса : Астропринт, 2011. — 92 с.
- Мікроелектронні підсилювачі спеціального призначення [Текст] : навч. посіб. / МОН України, Східноукраїнський нац. ун-т ім. Володимира Даля. — Луганськ : Елтон-2, 2009. — 112 с.
- Мікромеханічно перелаштовувані резонатори НВЧ на основі смужкових ліній [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / М-во освіти і науки України, Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". — Київ, 2014. — 24 с.
- Мікрохвильові пристрої з активними резонаторами [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.07 "Антени та пристрої мікрохвильової техніки" / Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. — Харків, 2007. — 19 с.
- Многоэлементные электроемкостные преобразователи для полнопоточной влагометрии нефтяных эмульсий [Текст] / Ю.И. Стеблев, Е.С. Вашуркина // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 27-30.
- Многоканальный аналого-цифровой преобразователь сигналов матриц кремниевых фотоэлектронных умножителей [Текст] / Ю.И. Бочаров, В.А. Бутузов, А.Б. Симаков // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 43-51.
- Многоканальный зарядово-чувствительный усилитель для регистрации сигналов двухсторонних кремниевых детекторов трековой системы проекта CBM [Текст] / Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ” Россия // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 57-60.
- Модели и методы обеспечения функциональной и технологической воспроизводимости интегральных микросхем [Текст] / Львовский ун-т. — Львов : Вища школа, 1985. — 200 с.
- Моделирование акустооптических устройств дискретной обработки сигналов методом конечных элементов [Текст] / Донецкий национальный университет // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 148-155.
- Моделирование аналоговых узлов РЕТ-сканера в системе OrCAD [Текст] / М.В. Алюшин, Вин Мьят // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 79-80.
- Моделирование влияния прямого напряжения на усиление транзистора с узкой базой [Текст] / Гуманитарный университет "Запорожский ин-т гос. и муницип. управления" // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2008. — С. 74-80.
- Моделирование воздействия отдельных ядерных частиц на КМОП цифровые системы по параметрам импульсов воздействующего тока [Текст] / В.Я. Стенин // Известия вузов. Электроника. — 2011. — С. 50-57.
- Моделирование диффузионного синтеза дисилицида титана. [Текст] / Белорусский государственный университет // Инженерно-физический журнал. — 2005. — С. 185-189.
- Моделирование электрических параметров каналов кремниевых МОП-транзисторов на деформированной подложке [Текст] / Воронежский государственный университет, г.Воронеж, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — С. 21-27.
- Моделирование электронных цепей на ЦВМ [Текст] / Л.Я. Нагорный. — К. : Техніка, 1974. — 360 с.
- Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов [Текст] / В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов. — М. : Энергоатомиздат, 1988. — 280 с.
- Моделирование и аподизация кристаллоподобных структур [Текст] / Е.А. Нелин // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2004. — С. 16-22.
- Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной N-образной вольт-амперной хароактеристикой [Текст] / Ульяновский государственный университет, г.Ульяновск, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2010. — С. 14-19.
- Моделирование импульсного лазерного осаждения тонких пленок в интенсивных электрических полях. [Текст] / Московский инженерно-физический институт (государственный университет) // Известия вузов. Электроника. — 2004. — С. 18-25.
- Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем [Текст] : учеб. пособие / А.Н. Бубенников. — М. : Высшая школа, 1989. — 320 с.
- Моделирование интеграции ИК-фотоприемников и КМОП-мультиплексора [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 28-35.
- Моделирование ионно-имплантационной обработки материалов [Текст] / В.Н. Неволин, А.Г. Гнедовец, В.Ю. Форминский та ін. // Вестник Московского государственного технического университета им. Н.Э. Баумана.Сер. Приборостроение : научно-теоретический и прикладной журнал. — 1998. — 4 : Специальный выпуск "Радиоэлектроника". — С. 28-38.
- Моделирование и оптимизация КМПО-структуры с вертикально интегрированными в нее одноконтактными фотодетекторами с разделением цветов видимого спектрального диапазона [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 18-24.
- Моделирование лавинно-каскадного умножения первичных фотоэлектронов в обратно смещенной pn-i-pn структуре [Текст] / Институт радиофизики и электроники НАНУ, г.Харьков, Украина // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2009. — С. 14-24.
- Моделирование микрорельефа и распределения электрического поля в МДМ-структурах [Текст] / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Россия // . — С. 22-26.
- Моделирование напряженно-деформированного состояния в кремний-германиевых островковых гетероструктурах [Текст] / Р.В. Гольдштейн, В.А. Городцов, П.С. Шушпанников // Известия РАН. Механика твердого тела. — 2010. — С. 7-21.
- Моделирование напряженно-деформированного состояния материалов бескорпусных многовыводных интегральных схем с шариковыми выводами [Текст] / Московский государственный институт электронной техники, г.Москва, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — С. 3-8.
- Моделирование параметров биполярных транзисторов [Текст] / В.А. Пилипенко, Д.В. Вечер, В.А. Горушко та ін. // . — С. 181-187.
- Моделирование полевого СВЧ-транзистора в нелинейном режиме в схемотехнической среде Serenade для анализа характеристик электромагнитной совместимости входных многокаскадных усилителей [Текст] / А.М. Бобрешов, А.М. Зверев, Ю.Н. Нестеренко // Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. — М., 2003. — №4. — С.64-70.
- Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов: последние достижения [Текст] : .пер. с англ. / под ред. Миллера Д. — М. : Радио и связь, 1989. — 280 с.
- Моделирование распределенных RLS-структур [Текст] / Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 38-44.
- Моделирование режимов и оценка качества электронных приборов [Текст] / О.П. Якимов. — М. : Радио и связь, 1989. — 176 с.
- Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов [Текст] / Институт радиофизики и электроники им .А.Я Усикова НАН Украины // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 529-534.
- Моделирование, управление, контроль при производстве интегральных схем [Текст] : сб. науч. тр. / Моск. ин-т электрон. техники. — Москва, 1983. — 99 с.
- Моделирование фотопреобразующих гетероструктур на основе аморфного и монокристаллического кремния [Текст] : дис. ... канд. физ.- мат. наук : 01.04.01 "Физика приборов, элементов и систем" / Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники. — Харьков, 2011. — 150 с.
- Моделирование фотоприемника с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры. [Текст] / Ульяновский государственный университет. // . — С. 88-89.
- Моделі процесів дифузійного перенесення і методи оцінювання технологічних параметрів в багатошарових наноплівках [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.05.02 - мат. моделювання та обчисл. методи / М-во освіти і науки України, Терноп. нац. техн. ун-т ім. І. Пулюя. — Тернопіль, 2013. — 20 с.
- Моделі та методи інформаційної технології оперативного управління виробництвом напівпровідникових матеріалів [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.06 "Інформаційні технології" / М-во освіти і науки україни, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. — Кременчук, 2015. — 22 с.
- Модель барьерного механизма возникновения 1/f-шума в полупроводниковых устройствах [Текст] / В.Ю. Холкин // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 54-58.
- Модель барьерной емкости диода с короткой базой [Текст] / В.Н. Бирюков // . — С. 31-35.
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
|
