Напівпровідникові діоди
Підтеми:
Документи:
- Исследование быстродействующих радиоимпульсных частотных триггеров на туннельных диодах [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / МАИ им. С.Орджоникидзе. — М., 1967. — 13 с.
- Исследование влияния лазерного излучения на частоту колебаний ганновского генератора. [Текст] / Таганрогский государственный радиотехнический университет. // . — С. 34-36.
- Исследование внутренних электрических процессов в полупроводниковых приборах зондовым методом [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.08 - электронная техника и приборы / МАИ им. С.Орджоникидзе. — М., 1973. — 13 с.
- Исследование возможности применения мощных кремниевых шунтов в системе питания сверхпроводящего ускорителя [Текст] / С.С. Асина, А.А. Смирнов, В.Н. Карпинский, Е.И. Кондрашев // Электротехника : Научно-технический журнал / Академия Электротехнических наук РФ. — С. 70-72.
- Исследование заторможенных релаксаторов на туннельных диодах [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / Рижский ин-т инженеров гражд. авиации. — Рига, 1963. — 20 с.
- Исследование излучения квазиоптических колебательных систем, возбужденных полупроводниковыми генераторными диодами [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / Харьк. гос. ун-т. — Харьков, 1982. — 22 с.
- Исследование и оценка характеристик различных защитных диодов [Текст] / Л. Чемакин // . — С. 54-56.
- Исследование и разработка инженерных методов проектирования специальных устройств [Текст] : отчет о НИР : 301-99/71 "Блок" / ХАИ ; рук. Брехин Н.И. ; исполн.: Шишкова Т.Ф., Карташов Л.Н., Гордин А.Г., Стадник Л.П. — Х., 1973. — 182 с.
- Исследование и разработка инженерных методов проектирования специальных устройств [Текст] : отчет о НИР : 301-99/73 / ХАИ ; рук. Брехин Н.И. ; исполн.: Шишкова Т.Ф. — Х., 1973. — 10 с.
- Исследование и разработка методов расчета диодных фазочувствительных схем [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 276 - теоретические основы электротехники / МАИ им. С.Орджоникидзе. — М., 1969. — 16 с.
- Исследование некоторых физических процессов в диоде с термоиндуктивным катодом [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.08 - электронная техника и приборы / КПИ. — К., 1976. — 21 с.
- Исследование принципов построения и разработка макета установки контроля времени жизни носителей заряда в полупроводниковых структурах СВЧ диапазона [Текст] : отчет о НИР / МОН України, ХИРЭ ; науч. рук. Ю. Е. Гордиенко ; исполн. : Ю. А. Дудкин и др. — Харьков, 1990. — 84 с.
- Исследование процесса получения гетероэпитаксиальных структур ЗС-карбида кремния на подложках кремния [Текст] / Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Россия // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 31-34.
- Исследование спектральных характеристик сверхпроводникового интегрального приемника [Текст] / В.П. Кошелец, А.В. Худченко // Радиотехника и электроника. — 2006. — С. 633-640.
- Исследование частотных свойств приборов с междолинным переносом электронов [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 "Радиофизика, включая квантовую радиофизику" / МВиССО УССР, Харьк. гос. ун-т. — Харьков, 1983. — 19 с.
- Когерентное сложение мощности в лавинно-генераторных диодах [Текст] / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 70-75.
- Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах [Текст] / А.В. Вайсблат. — Москва : Радио и связь, 1987. — 117 с.
- Контроль температуры кристалла маломощных светодиодов [Текст] / С.А. Микаева // . — С. 21-25.
- Кремниевые стабилитроны [Текст] / Г.М. Веденеев, В.Е. Вершин. — М. ; Л. : Госэнергоиздат, 1961. — 96 с.
- Кремниевые стабилитроны [Текст] / Д.В. Михин. — М. ; Л. : Энергия, 1965. — 112 с.
- Криогенный фазовый детектор для охлаждаемой широкополосной системы фазовой автоподстройки частоты [Текст] / А.В. Худченко, В.П. Кошелец, А.Б. Ермаков, П.Н. Дмитриев // Радиотехника и электроника. — 2008. — С. 624-629.
- Лавинный пробой р-п перехода в полупроводниках [Текст] / И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. — Ленинград : Энергия, 1980. — 152 с.
- Между светом и тенью [Текст] / Ю. Коваль // Мир автоматизации. — К. : ООО "ИД "ПРОФИТ", 2007. — С. 32-34.
- Методика эпитаксиального наращивания кубического карбида кремния на кремнии по технологии CVD [Текст] / Санкт-Петербургский электротехнический университет "ЛЭТИ" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 22-26.
- Микроволновый спектрорадиометр для наземного комплекса температурного зондирования стратосферы [Текст] / А.А. Швецов, Л.И. Федосеев, О.С. Большаков, Д.А. Караштин // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 134-135.
- Микросхемы драйверов светодиодов. [Текст] / В. Охрименко // Электронные компоненты и системы. — 2005. — №6. — С. 14-15.
- Моделирование асинхронных электроприводов с тиристорным управлением [Текст]. — М. : Энергия, 1977. — 200 с.
- Моделирование переключения высоковольтных диодов с мягким восстановлением [Текст] / В. Губарев, В. Потапчук, М. Рябов, А. Сурма // Электронные компоненты. — М. : ЗАО "КОМПЭЛ", 2007. — С. 24-30.
- Моделирование скачков выходной мощности квазиактивного сверхчастотного ограничителя на p-i-n диодах [Текст] / Г.З. Гарбер // Радиотехника и электроника. — 2007. — С. 1518-1523.
- Модель выгорания сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов при воздействии периодической последовательности электрических импульсов [Текст] / В.Г. Усыченко, А.А. Сасункевич, Л.Н. Сорокин // . — С. 484-493.
- Мощные импульсные полупроводниковые источники миллиметрового диапазона длин волн в режиме внешней синхронизации [Текст] / Л.В. Касаткин, В.П. Рукин // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2005. — С. 3-19.
- Мощные полупроводниковые приборы. Диоды [Текст] : справочник. / под ред. Голомедова А. В. — М. : Радио и связь, 1985. — 400 с.
- Мощные полупроводниковые приборы [Текст] : диоды: справ. / под ред. А.В. Голомедова. — М. : Радио и связь, 1985. — 400 с.
- Мощные полупроводниковые приборы. Тиристоры [Текст] : справочник / В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, В.М. Петухов. — М. : Радио и связь, 1988. — 576 с.
- Мощные светодиоды: конструкция, особенности, перспективы [Текст] / А. Юшин // . — С. 31-32.
- Напівпровідникові та рідиннокристаличні пристрої відображення інформації [Текст] : навч. посіб. до курс. та диплом. проектування / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". — Х. : Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т", 2008. — 47 с.
- Некоторые вопросы нелинейной теории автогенераторов на туннельных диодах [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.14 - сети, каналы связи и распределение информации / Омский ин-т инж. ж.-д. транспорта. — Омск, 1973. — 18 с.
- Нелинейные системы с тиристорами [Текст] / под ред.М. Г. Чиликина. — М. : Энергия, 1968. — 96 с.
- Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией [Текст] / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 69-78.
- Новые подходы к регулировке яркости и управлению светодиодами [Текст] / И. Петров // . — С. 18-25.
- Обзор источников питания для светодиодов [Текст] / К. Староверов // Радиокомпоненты. — 2011. — С. 18-21.
- Оборудование полупроводникового производства [Текст] / под ред. Масленникова П. Н. — М. : Радио и связь, 1981. — 336 с.
- Одночастотные и бигармонические режимы генераторов на лавинно-пролетных диодах [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.01 "Теоретические основы радиотехники" / Моск. энергет. ин-т. — Москва, 1981. — 19 с.
- О мощных светодиодах [Текст] / А.Г. Зызюк // Радиокомпоненты. — 2008. — С. 20-23.
- О применении емкости p-n -перехода полупроводниковых приборов в радиотехнических схемах [Текст] : труды института : сб. ст. / под ред. Гоноровского И. С. ; Мин-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, МАИ. — М. : Оборонгиз, 1962. — 94 с.
- Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения [Текст] / Мукачевский технологический институт // Технология и конструирование в электронной аппаратуре : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 30-35.
- О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AIGaAs, GaPAs и GaSbAs [Текст] / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 66-69.
- Основы электронной и полупроводниковой техники [Текст] : учеб. для вузов спец. "Мат. и счетно-решающие приборы и устройства" / Ю.В. Виноградов. — М. : Энергия, 1968. — 624 с.
- Особенности возникновения и дрейфа волн объемного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) [Текст] / И.П. Стороженко // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 243-249.
- Особенности снятия вольтамперных характеристик туннельных диодов [Текст] / А.А. Зеленский, Ф.Ф. Колпаков, В.И. Лахно // Радиоэлектроника летательных аппаратов : научно-технич. сб. / ХАИ. — Х. : ХАИ, 1972. — С. 23-26.
1
2
3
4
5
|
