Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники

Електронні напівпровідники

Документи:

• Влияние условий кристаллизации на структуру пластин твердых растворов термоэлектрических материалов на основе Bi2Te3, выращенных из расплава [Текст] / Московский институт стали и сплавов // . — С. 22-25.
• Внутриподзонные плазмоны в конечном массиве квантовых проволок, содержащим эффект. [Текст] / Институт радиофизики и электроники им.А.Я.Усикова НАН Украины. // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 422-427.
• Внутрішній фотоефект в контакті метал-напівпровідник з мікрорельєфною межею поділу [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01 "Фізика приладів, елементів і систем" / НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. — Київ, 2000 . — 17 с.
• Возбуждение электромагнитных полей модулированным потоком заряженных частиц на границе сред [Текст] / С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Успехи современной радиоэлектроники. — 2007. — С. 32-42.
• Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителях заряда в p+-n -диоде [Текст] / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 32-35.
• Вольт -амперные и шумовые характеристики неоднородного контакта с барьером шоттки [Текст] / В.Г. Божко, С.Е. Зайцев // Радиотехника и электроника. — 2007. — С. 97-105.
• Вопросы теории коллективных явлений в электронно-дырочной плазме полупроводников [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 - физика и химия плазмы / ХГУ им. А.М.Горького. — Х., 1973. — 28 с.
• Вплив А- і Е-центрів на час життя нерівноважених носіїв заряду в n-Si при y-опроміненні [Текст] / Інститут фізики НАН України // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 686-690.
• Вплив відпалу в атмосфері атомарного кисню на фотолюмінісценцію шарів ZnO, імплантованих миш'яком та азотом [Текст] / І.В. Рогозін // . — С. 1376-1380.
• Вплив дефектів на структуру кисневих преципітатів в кристалах кремню [Текст] / В.Г. Литовченко, І.П. Лісовський, В.П. Кладбко та ін. // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 959-967.
• Вплив дефектів радіаційного походження на електрофізичні та оптичні властивості GaP та AlGaAs світлодіодів [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. — Чернівці, 2016. — 17 с.
• Вплив ізовалентної домішки свинцю на термічне дефектоутворення в кремнії з підвищеним вмістом вуглецю [Текст] / М.М. Красько, В.В. Войтович, В.Б. Неймаш, А.М. Крайчинський // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 692-696.
• Вплив нейтронного опромінення на зворотні струми фосфідо-галієвих світлодіодів [Текст] / В.К. Дубовий, В.І. Кочкін, В.Я. Опилат та ін. // . — С. 175-179.
• Вплив обробки поверхні на електричні та люмінісцентні властивості напівізолюючого СdTе, легованого хромом [Текст] / О.М. Пігур, Д.І. Цюцюра, В.Д. Попович та ін. // Український фізичний журнал. — 2006. — С. 1105-1108.
• Вплив параметра електрон-фононної взаємодії на енергетичний спектр поляронів квазідвовимірних структур [Текст] / В.І. Бойчук, В.А. Борусевич // . — С. 169-175.
• Вплив температури на дефектоутворення в n-Si при електронному опроміненні [Текст] / Інститут фізики НАН України // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 685-689.
• Время релаксации фононов Si, Ge, GaAs, InSd и HgSe [Текст] / Электростальский политехнический институт. Москва // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 59-62.
• Выбор класса напряжения силовых полупроводниковых приборов [Текст] / Б. Баклунд // Электротехника  : Научно-технический журнал / Академия Электротехнических наук РФ. — С. 9-15.
• Выращивание квантовых ям HgTe/Cd0,735Hg0,265Te методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 104-111.
• Выращивание кристаллов твердых растворов германий-кремний модернизированным методом Бриджмена. [Текст] / Г.Х. Аждаров // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 69-71.
• Выращивание монокристаллов арсенида галлия с высоким структурным совершенством методом вертикально направленной кристаллизации. [Текст] / ФГУП "Гиредмет" // . — С. 16-19.
• Выращивание трубчатых монокристаллов кремния методом Чохральского [Текст] / Институт проблем механики РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 69-70.
• Генерирование и оценка параметров широкополосного электромагнитного излучения квч диапазона сверхнизкой интенсивности для информационных технологий в медицине [Текст] / Национальный аэрокосмический университет им.Н.Е.Жуковского "ХАИ", г.Харьков, Украина // . — С. 233-235.
• Геттерирование примесей в кремнии [Текст] / А.В. Еремеев, В.Л. Крюков, Г.Д. Кузнецов та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 66-69.
• ГИР на полевых транзисторах [Текст] / М. Сидоренко // . — С. 33-34.
• Гистерезисные явления в четырехкомпонентной системе твердых растворов 0,98(xPbTiO3-yPbZrO3-zPbNb2/3Mg1/3O3)-0,02PbGeO3 [Текст] / Научно-исследовательский ин-т физики Ростовского государственного университета // Конструкции из композиционных материалов. — 2007. — C. 73-81.
• Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge [Текст] / А.А. Дружинин, И.П. Островский, С.М. Матвиенко, Ю.Р. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 26-27.
• Датчики автоматических систем управления процессом размагничивания феромагнитных изделий [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.05 - элементы и устройства вычислительной техники и систем управления / Новочеркасский политехн. ин-т им. С.Орджоникидзе. — Новочеркасск, 1989. — 15 с.
• Два типа фотоиндуцированных метастабильных дефектов в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния [Текст] / МГУ // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 15-18.
• Дебаевская длина экранирования электрического поля в полупроводниках с различными примесными уровнями [Текст] / В.И. Мурыгин, В.В. Лосев, В.Б. Гундырев // Известия высших учебных заведений, Электроника : научно-технический журнал. — М., 2004. — 1. — С.43-48.
• Деградационния явления в диодах Шотки Au-Pt-GaAs, стимулированные активными обработками [Текст] / Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус, Узбекистан // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 661-663.
• Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi [Текст] / Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 39-42.
• Дефекты в кристаллах полупроводников [Текст] : сб. ст. : пер. с англ. / сост. и пер. С. Н. Горин. — Москва : Мир, 1969. — 375 с.
• Диэлектрическая спектроскопия материалов лазерной оптики [Текст] / И.Г. Гаврикова, О.И. Петрова, Е.П. Скидан // Авиационно-космическая техника и технология. Вып. 25 ; М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н.Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т" - Х. : Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т" , 2001. — С. 286-290.
• Динамика отражения и поглощения теллурида кадмия при лазерно-индуцированных фазовых превращениях [Текст] / Г.Д. Ивлев, Е.И. Гацкевич // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 25-29.
• Динамика поступления и распределения примесных элементов в кремнии высокой чистоты, получаемом карботермическим способом [Текст] / Иркутский государственный технический университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 11-15.
• Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем [Текст] / Дагестанский государственый технический университет, г.Махачкала, Россия // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 54-56.
• Долговременные фотоэлектрические процессы в полупроводниках [Текст] : отчет о НИР (промежуточ.) : Г306-24/86 / ХАИ; рук. Завертанная Л.С.; исполн,: Гаплевская С.П., Петрова О.И. — Х., 1988. — 31 с.
• Дослідження ємнісними методами n-кремнію, опроміненого електронами при 450 С. [Текст] / Інститут фізики НАН України // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 781-786.
• Дослідження процесів розсіювання світла в кристалах кремнію з неоднорідним розподілом домішок. [Текст] / Інститут фізики НАН України // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 146-151.
• Экономика применения полимерных материалов в электротехнике [Текст] / Х.Р. Паркшеян, А.М. Хайкин. — М. : Энергия, 1972. — 136 с.
• Экспериментальное исследование оптической стойкости матрицы "смотрящего" типа на основе CdxHg1-xTe к воздействию лазерного излучения с длиной волны 10,6 мкм [Текст] / В.И. Стафеев, И.Д. Бурлаков, К.О. Болтарь та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 31-34.
• Экспериментальные исследования влияния дозовой нагрузки излучения устройства для информационно-волновой терапии на электрофизические характеристики биологически активных точек [Текст] / В.В. Литвин // Радиотехника. — Х., 2014. — С. 89-93.
• Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристалов [Текст] / С.П. Павлюк, Л.В. Ищук, В.М. Кислицын // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 62-64.
• Электрические и фотоэлектрические свойства пленок гидрированного кремния в области перехода от аморфной к нанокристаллической структуре [Текст] / Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 72-75.
• Электродинамические модели резонаторных сенсоров в СВЧ диагностике полупроводников [Текст] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 "Радиофизика" / Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники. — Харьков, 2002. — 158 с.
• Електродинамічні моделі резонаторних сенсорів у НВЧ діагностиці напівпровідників [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.03 "Радіофізика" / Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. — Харків, 2002. — 18 с.
• Электроника дефектов в полупроводниках [Текст] : пер. с англ. / под ред. С. А. Медведева. — М. : Мир, 1974. — 463 с.
• Электронная ловушка, связанная с Te, в слоях In 0.5 Ga 0.5 P. [Текст] / оао "Научно-исследовательский институт материалов электронной техники" // . — С. 57-60.
• Електронні властивості легованого паладієм пористого кремнію і розкладання на його основіводи без зовнішньої електричної напруги [Текст] / В.Э. Примаченко, Б.М. Булах, С.І. Кирилова та ін. // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 237-.

1    2   3    4    5    6    7    8    9    10