Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Електроніка. Мікроелектроніка

Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи

Підтеми:

• Напівпровідникові пристрої
• Напівпровідникові елементи/Электронные полупроводниковые приборы/Electronic semiconductor devices

Документи:

• Быстродействующий резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода [Текст] / И.Н. Николаев, В.В. Крашевская // Измерительная техника  : научно-технический журнал / Госком РФ по стандартизации и метрологии. — С. 59-62.
• Быстрые и медленные динамические вольт-амперные характеристики подвижных ионов в диэлектрических пленках. Универсальность [Текст] / С.Г. Дмитриев // Радиотехника и электроника. — 2015. — С. 957-962.
• Быстрый токовый предусилитель для кремниевых детекторов [Текст] / Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 94-97.
• Вакуумная техника в производстве интегральных схем [Текст] / под ред. Р. А. Нилендера. — М. : Энергия, 1972. — 256 с.
• Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве [Текст] : учеб. пособие для ПТУ / О.С. Моряков. — М. : Высшая школа, 1974. — 141 с.
• Вакуумные сильноточные плазменные устройства и их применение в технологическом оборудовании микроэлектроники [Текст] / М-во электронной пром-ти СССР. — М. : ЦНИИ "Электроника", 1974. — 76 с.
• Вакуумные сильноточные плазменные устройства и их применение в технологическом оборудовании микроэлектроники [Текст] / М-во электронной пром-ти СССР. — М. : ЦНИИ "Электроника", 1974. — 85 с.
• Введение в автоматизированное проектирование электрических и электронных цепей [Текст] : учебное пособие / Ю.С. Перфильев. — Красноярск : Изд-во Красноярск. ун-та, 1989. — 192 с.
• Введение в инженерную микроэлектронику [Текст] / науч. ред. : Пасынков В. В., Смирнов В. И. — М. : Советское радио, 1974. — 280 с.
• Введение в микроэлектронику [Текст] : пер. с англ. / под ред. И. П. Степаненко. — М. : Советское радио, 1968. — 320 с.
• Введение в микроэлектронику [Текст] : пер. с япон. / под ред. Ржанова В. Г. — М. : Мир, 1988. — 320 с.
• Введение в молекулярную электронику [Текст] / под ред. Лидоренко Н. С. — М. : Энергоатомиздат, 1984. — 320 с.
• Введение в полупроводниковую электронику [Текст] : пер. с англ. / под ред. Федорова Я. А. — М. : Связь, 1965. — 456 с.
• Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий [Текст]. Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю. Д. Чистяков, Ю. П. Райнова : учеб. пособие для вузов : в 2 т. / под общ. ред. Ю. Н. Коркишко. — М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. — 392 с.
• Введение в схемотехнику [Текст] / М.В. Гальперин. — Москва : Энергоиздат, 1982. — 120 с.
• Введення в мікросистемну техніку та нанотехнології [Текст] : підруч. / В.В. Семенець, І.Ш. Невлюдов, В.А. Палагін. — Харків : СМІТ, 2011. — 416 с.
• Вероятностно-статистическое исследование качества технологических процессов изготовления гибридных микросхем [Текст] : отчет о НИР (заключ.) : 505-58/75 / ХАИ ; рук. Маликов В.Н. ; исполн.: Мишева Л.И. — Х., 1981. — 31 с.
• Вестник Харьковского политехнического института [Текст]. Проблемы оптимизации полупроводниковых систем преобразования энергии / М-во высш. и сред. спец. образования УССР. — Х. : Вища школа, 1980. — 72 с.
• Взаимозаменяемые отечественные и зарубежные полупроводниковые приборы [Текст] / А.С. Белов, В.И. Гордеева, А.В. Нефедов. — М. : Энергия, 1971. — 103 с.
• Виготовлення і використання приладів на напівпровідниках [Текст] : посібник для вчителів / Є.В. Коршак. — Київ : Радянська школа, 1965. — 108 с.
• Визуализация данных клеточно-автоматных моделей на примере задачи роста нанокристаллов Si в матрице SiOx [Текст] / И.В. Матюшкин, С.В. Коробов // . — С. 39-48.
• Вісник НУ "Львівська політехніка" [Текст] : науковий журнал / МОН України., НУ "Львівська політехніка". — Львів.
• Властивості багатодолинних напівпровідників зі структурними дефектами технологічного і радіаційного походження [Текст] : автореф. дис. ... д-р фіз.-мат. наук : 01.04.10 "Фізика напівпровідників і діелектриків" / МОНМС України, Східноєвроп. нац. ун-т ім. Л. Українки. — Луцьк, 2013. — 40 с.
• Влияние анизотропии монокристаллического кремния на динамические характеристики микроэлектромеханических резонаторов [Текст] / И.А. Киршина, П.А. Окин, О.М. Филонов // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника : научно-технический журнал. — К., 2014. — №11. — С. 51-56.
• Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на комплексную электронную проводимость лавинно-пролетных диодов [Текст] / В.А Малышев, , С.С. Шибаев // Радиотехника. — 2005. — С. 21-24.
• Влияние глубины конвейера на производительность процессора [Текст] / ГУП НПЦ "ЭЛВИС", г.Москва, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — С. 50-53.
• Влияние конструктивных параметров на пороговое напряжение наноразмерных p-канальных КНИ МОП-транзисторов [Текст] / Б.К. Петров, А.А. Краснов // Известия вузов. Электроника. — 2011. — С. 40-43.
• Влияние конструктивных факторов реакторов пониженного давления на неоднородность свойств осаждаемых слоев [Текст] / Н.М. Манжа // Известия высших учебных заведений, Электроника : научно-технический журнал. — М., 2004. — 2. — С.23-29.
• Влияние легирования редкоземельными элементами на структуру поверхностного слоя кремния. [Текст] / Самарский государственный университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 72-74.
• Влияние поверхности на характеристики полупроводниковых приборов [Текст] / АН УССР, Ин-т полупроводников. — К. : Наукова думка, 1972. — 116 с.
• Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках монокристаллического кремния [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 17-20.
• Влияние повреждений, вызываемых переходныит процессами, на надежность РЭА [Текст] / Г.А. Иванов, С.П. Клембек // Радиотехнические системы и устройства : сб. науч. тр. / Гос. ком. СССР по народ. образованию, Харьк. авиац. ин-т им. Н.Е. Жуковского. — Х. : ХАИ, 1988. — С. 132-136.
• Влияние программных переходов и зависимостей по данным в исполняемом программном коде на производительность конвейера DSP-ядра [Текст] / Московский государственный институт электронной техники, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — С. 75-80.
• Влияние температуры осаждения на структуру слоев поликристаллического кремния. [Текст] / НПК "Технологический центр" МИЭТ // Известия вузов. Электроника. — 2006. — С. 14-17.
• Влияние тонкого слоя, нанесенного методом ионно-плазменного осаждения из паров циклогексана, на электрическую прочность пленки ПЭТФ [Текст] / С.С. Федорова, А.И. Драчев, А.Б. Гильман, В.М. Пак // Электротехника  : Научно-технический журнал / Академия Электротехнических наук РФ. — С. 41-47.
• Влияние фотонного отжига на структуру и электрические свойства тонких металлических пленок на кремнии [Текст] / Институт автоматики и проблем регионального управления КБНЦ РАН // . — С. 77-79.
• Внедрение процесса разработки сложной электронной аппаратуры [Текст] / А.В. Фоломкин // Авиакосмическое приборостроение : Ежемесячный научно-технический и производственный журнал. — 2012. — С. 10-13.
• Воздействие радиации на интегральные микросхемы [Текст] / АН БССР , Ин-т физики твердого тела и полупроводников. — Минск : Наука и техника, 1986. — 254 с.
• Возможности использования МДП- сенсоров в качестве чувствительных элементов газоанализаторов [Текст] / И.Н. Николаев, А.В. Литвинов, Е.В. Емелин // Датчики и системы : научно-технический и производственный журнал / Инт- проблем управления РАН, МГ ИЭМ, Ассоциация "МВТК". — М., 2007. — С. 66-73.
• Вольтамперная характеристика и наведенный ток во внешней цепи лавинно-генераторных диодов на основе обратносмещенных резких P-N-переходов [Текст] / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 45-53.
• Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных структурах GaAs для функциональных элементов систем управления и связи [Текст] / Институт технической механики НАН Украины и НКА Украины, г.Днепропетровск, Украина // Техническая механика  : науч. журн. / Нац. акад. наук Украины, Нац. косм. агентство Украины, Укр. о-во инженеров - механиков, Ин-т техн. механики. — С. 115-121.
• Вопросы логического контроля исправности проверяемого оборудования [Текст] : сборник статей. — Ленинград : ЛВИКА им. А. Ф. Можайского, 1964. — 146 с.
• Вопросы пленочной электроники [Текст] : сборник статей. — М. : Советское радио, 1966. — 472 с.
• Вопросы создания и оптимизации оборудования микроэлектроники [Текст] : сб. науч. тр. / Моск. ин-т электронной техники. — Москва, 1984. — 135 с.
• Вплив внетрішнього тиску в порах на електрофізичні властивості поруватого кремнію [Текст] / Київський національний університет ім. Тараса Шевченка // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 680-685.
• Выбор энергоемких тестовых наборов для обеспечения режима повышенного энергопотребления комбинационных КМОП-схем [Текст] / П.Н. Бибило, И.П. Логинова // Управляющие системы и машины  : междунар. научный журнал / НАН Украины. Междунар.науч.-учеб.центр информ.технологий и систем. Ин-т киберн.им.В.М.Глушкова. — С. 54-60.
• Выбор оборудования для механизации и автоматизации поверхностного монтажа компонентов при сборке электронной аппаратуры в мелкосерийном и серийном производстве [Текст] / А. Грачев // . — С. 32-35.
• Выбор оптимальной структуры функционального полного контроллера шины SPI с 32-разрядным интерфейсом. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники. // . — С. 71-75.
• Выбор параметров контроля и целевой функции [Текст] : отчет о НИР (промежуточ.) : 505-158/89 / ХАИ ; рук. Лещенко Н.Е., Мишева Л.И., Левкин С.Б. — Х., 1989. — 40 с.
• Выбор структуры CAN-контроллера. [Текст] / Московский авиационный институт (государственный технический университет) // Известия вузов. Электроника. — 2004. — С. 57-63.

1    2    3   4    5    6    7    8    9    10    11    12    13