Зведений каталог бібліотек Харкова

Електронні напівпровідники

Документи:

Электронное строение материала спинтроники Cd1-xMnxGeAs2 [Текст] / Институт общей и неорганической химии им.Н.С.Курнакова РАН // Инженерная физика. — 2007. — С. 46-49.
Электронные ловушки, связанные с Si и S, в слоях In1-XGaXP [Текст] / ю.К. Крутоголов, Ю.И. Кунакин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — C.67-70.
Электронные свойства межэеренных границ и рассеивание носителей заряда в тонких слоях теллурида свинца [Текст] / Д.М. Фреик, Б.С. Дзундза, В.Ф. Пасичняк // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 20-24.
Электроперенос в пленках из ориентированных углеродных нанотрубок [Текст] / З.Я. Косаковская, И.А. Чабан // Радиотехника и электроника. — 2005. — С. 1148-1159.
Электропластичность монокристаллов кремния n- и p-типа [Текст] / Институт физики Дагестанского центра РАН // . — С. 25-28.
Электропроводность органических полупроводников [Текст] : пер. с англ. / Х. Инокути, Х. Акамату. — М. : Иниздат, 1963. — 224 с.
Электропроводность полупроводников [Текст] / Ф.Ф. Волькенштейн. — М.; Л. : Гостехиздат, 1947. — 352 с.
Электрорадиотехнические материалы в изделиях авиационно-космической техники [Текст] : учеб. пособие / М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т". — Х. : Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т", 2004. — 166 с.
Электрофизические свойства многослойных структур типа МДП с полупроводниковыми слоями критической толщины [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков / Моск. ин-т стали и сплавов. — М., 1981. — 22 с.
Электрофизические свойства монокристаллов кремния в широком интервале температур. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 77-81.
Электрофизические характеристики и структура мультикристаллического кремния. [Текст] / Институт геохимии СО РАН. // . — С. 73-75.
Елементи аналітичних мікросистем-на-кристалі зі структурами «кремній-на-ізоляторі» [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. — Чернівці, 2017. — 20 с.
Эллипсометрический контроль параметров выращиваемых наноразмерных гетероструктур [Текст] / В.А. Швец, С.В. Рыхлицкий, Е.В. Спесивцев, Н.Н. Михайлов // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 78-88.
Енергетичний спектр заряду квантових точок різної форми [Текст] / Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 894-899.
Энтропия плавления металлов и полупроводников [Текст] : по данным отеч. и заруб. печати за 1954-57 гг. / А.А. Айвазов, В.М. Глазов, А.Р. Регель. — М. : Электроника, 1977. — 56 с.
Эпитаксия кремния на цилиндрическую поверхность [Текст] / А.С. Гришко, т.Т. Кондратенко, Д.Г. Крутогин, Л.В. Кожитов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — С.25-26.
Эффективный темп оптической генерации и скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в варизонных пленочных фотоприемных структурах р-КРТ МЛЭ [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, г.Новосибирск, Россия // Автометрия : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 103-108.
Еще раз о развитии солнечной энергетикиии рынке кремниевого сырья в 2007 - 2010 гг. [Текст] / А.В. Наумов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 15-20.
Жидкие полупроводники [Текст] / В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева. — М. : Наука, 1967. — 244 с.
Жидкие полупроводники. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники (технический университет) // Известия вузов. Электроника. — 2004. — С. 3-15.
Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов [Текст] / под ред. Ж. И. Алферова. — М. : Советское радио, 1975. — 328 с.
Зависимости температурного коэффициента прямого напряжения на гетеропереходных светодиодных от тока и температуры [Текст] / Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники РАН // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 74-76.
Зависимость тока через p - i - n структуру от напряжения смещения в режиме ограничения тока последовательным сопротивлением компенсированного слоя. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // . — С. 71-73.
Закономерности образования трехкомпонентных твердых растворов в условиях МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А.А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.17-23.
Закономерности процесса формирования полупроводниковых наноструктур с помощью фокусированного ионного пучка [Текст] / А.В. Бессонова, В.К. Неволин, А.В. Ромашкин, К.А. Царик // . — С. 27-32.
Изготовление образцов кристаллов CdZnTe и измерение распределения в них компонентов в плоскостях, параллельной и перпендикулярной оси кристаллического слитка. Исследование распределения компонентов твердого раствора CdZnTe в разных плоскостях... [Текст] : отчет о НИР (промежуточ.) : Д505-23/2011-Ф / М-во образования и науки, молодежи и спорта Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т" ; рук. Чугай О. : исполн. : Олейник С. [и др.]. — Х., 2011. — 40 с.
Изменение эффективной толщины переходного слоя, стимулированного свчизлучением, в контактах Mo–GaAs [Текст] / КИЕН ККО АН РУз, г.Нукус // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2009. — С. 46-51.
Изменение структуры слоя Si в КНИ после имплантации ионов Ar+ [Текст] / К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, Д.М. Пажин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — C.71-74.
Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и отжигов [Текст] / В.Т. Бублик, М.И.Щербачев Воронова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — С.65-73.
Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур [Текст] / В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. — М. : Радио и связь, 1985. — 264 с.
Измерения параметров полупроводниковых материалов [Текст] / Н.Ф. Ковтонюк, Ю.А. Концевой. — М. : Металлургия, 1970. — 432 с.
Изучение дефектных центров в полупроводниковых соединениях AIIIBV, образованных при радиационном воздействии и формировании ионно-легированных р+-n-структур. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 71-77.
Изучение кристаллов и пленочных структур AIVBVIметодом полюсных фигур [Текст] / Е.А. Богоявленская, С.П. Зимин // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 67-71.
Изучение механизма образования микродефектов в монокристаллах GaAs, выращенных из раствора-расплава с избытком галлия [Текст] / Московский институт стали и сплавов, Россия // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 57-62.
Изучение физических свойств легированных германием монокристаллов кремния, содержащих плоскости и границу двойникования. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 24-26.
"Интеллектуальные" аппаратные ключи - заглушки стандарта IrDA [Текст] // Электронные компоненты и системы. — 2005. — №6. — С. 55.
Информационно-управляющая система моделирующего комплекса выращивания крупногабаритных монокристалло [Текст] / Институт автоматики и электрометрии СО РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 74-77.
Инфракрасное фотоприемное устройство на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск // Автометрия : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 112-118.
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения [Текст] / Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, Л.В. Ищук, В.В. Кушниренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 54-57.
Использование многофункционального рентгеновского рефлектометра для анализа твердотельных структур микро- и наноэлектроники [Текст] / Н.Н. Герасименко, Д.И. Смирнов, А.Г. Турьянский, Н.А. Медетов // Известия вузов. Электроника. — 2011. — С. 99-105.
Использование фоторефрактивного эффекта для комплексного трехмерного локального измерения электрофизических и термических параметров кремниевых структур [Текст] / Институт радиотехники и электроники РАН // Известия вузов. Электроника. — 2008. — С. 74-78.
Исследование бинарных полупроводников [Текст] / отв. ред. Д. В. Гицу ; АН Молд. ССР ; Ин-т прикл. физики. — Кишинев : Штиинца, 1983. — 131 с.
Исследование влияния магнитного поля на фотоиндуциированные неравновесные процессы в монокристаллах сульфида кадмия [Текст] : отчет о НИР (промежуточ.) : 306-24/86 / ХАИ; рук. Рвачев А.Л.; исполн.: Жилина Л.С. — Х., 1987. — 30 с.
Исследование влияния температуры роста квантово-размерных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs на их излучательные характеристики [Текст] / Московская государственная акдемия тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова // . — С. 65-67.
Исследование в области разработки СВЧ методов и средств контроля параметров полупроводников [Текст] : отчет о НИР (заключ.) / МОН України, ХТУРЭ ; науч. рук . Ю.Г. Гордиенко ; исполн.: В.В. Старостенко и др. — Харьков, 1985. — 90 с.
Исследование высоковольтных интегральных импульсных тиристоров в моноимпульсном и пакетно-импульсном режимах [Текст] / И.В. Грехов, А.Л. Жмодиков, С.В. Коротков та ін. // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 32-36.
Исследование выходных характеристик полевого фототранзистора в оптотранзисторном режиме [Текст] / Д.М. Едгорова // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2008. — С. 51-55.
Исследование диффузий лантана в кремнии [Текст] / Андижанский государственный университет // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 87-89.
Исследование электрических свойств туннельных переходов при действии механических возмущений и разработка метода оценки качества технологических процессов их изготовления [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.259 - технология приборостроения / Ленинград. ин-т авиац. приборостроения. — Л., 1971. — 26 с.
Исследование электронных и магнитных свойств полупроводникового соединения CuFeS2 в диапазоне температур 77-300 К [Текст] / Казанский государственный энергетический университет // Известия вузов. Электроника. — 2008. — С. 3-7.

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10