Кристалографія
Підтеми:
Документи:
- Пластическая деформация кристаллов при низких температурах [Текст] / Нац. акад. наук Украины, Физико - техн. ин-т низ. температур им. Б. И. Веркина. — Киев : Наукова думка, 2012. — 358 с.
- Пластичность кристаллов в особенности металлических [Текст] : пер. с нем. / Е. Шмид, В. Боас. — М.; Л. : ГОНТИ НКТП СССР, 1938. — 316 с.
- Поведение акустических осей в центросимметричных кристаллах во внешнем электрическом поле и в кристаллах произвольной симметрии при одноосных механических воздействиях [Текст] / В.В. Аленков, А.Н. Забелин, Н.В. Переломова, С.И. Чижиков // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 34-40.
- Поверхностная энергия твердых тел [Текст] / В.Д. Кузнецов. — М. : Гостехтеориздат, 1954. — 220 с.
- Повне вивчення п'єзооптичного ефекту в кристалах Лангаситу [Текст] / Б.Г. Мицик, А.С. Андрущак, Г.І. Гаськевич // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 800-809.
- Получение и исследование влияния условий выращивания на совершенство и морфологические особенности кристаллов силиката лютеция, легированного церием [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 40-44.
- Получение наноструктурированых пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике [Текст] / А.Ф. Белянин, М.И. Самойлович, К.А. Ковальский, К.Ю. Петухов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 46-54.
- Получение четырехкомпонентных твердых растворов методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А.А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — С.25-31.
- Получение GaAs - методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А.А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — С.21-24.
- Поляризационные свойства излучения, прошедшего через кристаллическую пластинку [Текст] / О.Ю. Пикуль // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 55-61.
- Практический курс рентгеноструктурного анализа [Текст] : учебн. пособие для гос. университетов / М.А. ПорайКошиц. — М. : МГУ, 1960. — 632 с.
- Практический курс рентгеноструктурного анализа [Текст] : учеб. пособие / Г.Б. Бокий, М.А. ПорайКошиц. — М. : Изд-во МГУ, 1951. — 429 с.
- Практическое руководство по геометрической кристаллографии [Текст] : учебное пособие для геолого-разведочн. ин-тов и факультетов / Е.Е. Флинт. — изд.3-е, перераб. и доп. — М. : Госгеолтехиздат, 1956. — 208 с.
- Прилад для вимірювання малих струмів, протікаючих через кристали, вирощені в умовах космічного простору [Текст] : пояснюв. зап. до вип. роботи бакалавра: 6.091001 - радіоелектронні апарати : (робота викон. на рос. мові) / Нац. аерокосм ун-т ім. Н. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т", Ф-т радіотехн. систем. літ. апаратів, Каф. вир-ва радіоелектрон. систем літ. апаратів (№ 502) ; кер. Колесник Р. В. — Х., 2011. — 106 с. + додатки.
- Применение группы симметрии четырехмерного куба и ее подгрупп для классификации электронных состояний в кристаллах. [Текст] / Институт общей и нерганической химии им. Н.С.Курнакова РАН // Инженерная физика. — 2005. — С. 8-14.
- Пристрої фільтрації на основі аподизованих електромагнітних кристалів [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.13 - радіотехн. пристрої та засоби телекомунікацій / Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". — К., 2014. — 24 с.
- Про пасивацію воднем електрично активних центрів в CdxZn1-xTe [Текст] / В.Б. Британ, О.М. Пігур, Д.І. Цюцюра // Український фізичний журнал. — 2005. — С. 594-596.
- Радиационная физика [Текст]. Ионные кристаллы / АН Латв.СССР ; Ин-т физики. — Рига : Зинатне, 1965. — 156 с.
- Разработка физических основ создания проходной оптики мощных широкоампертурных ик-лазеров. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 34-43.
- Резонансный метод определения толщин вакуумно-осажденных тонких пленок [Текст] / Харьковский национальный университет им.В.Н.Каразина, г.Харьков // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 214-217.
- Рентгенография кристаллов. Теория и практика [Текст] : пер. с фр. / под ред. Н. В. Белова. — М. : Физматгиз, 1961. — 604 с.
- Рентгенография : Спецпрактикум [Текст] / под. ред. Кацнельсона А. А. — М. : Изд - во МГУ, 1986. — 240 с.
- Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел [Текст] / А.И. Китайгородский. — М. ; Л. : Гостехтеориздат, 1952. — 588 с.
- Рефрактометрія кристалів LiRbSO4. [Текст] / Львівський національний університет ім. Івана Франка // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 808-814.
- Рост и форма кристаллов [Текст] : пер. с нем. / Б. Хонигман. — М. : Иниздат, 1961. — 212 с.
- Самородна мідь України [Текст] : геологічна позиція, мінералогія і кристалогенезис / Нац. акад. наук України, Ін-т телекомунікацій і глоб. інформ. простору. — Київ : Логос, 2009. — 171 с.
- Симметрия в науке и технике [Текст] / А.В. Шубников, В.А. Копник. — изд. 2-е, перераб. и доп. — М. : Наука, 1972. — 339 с.
- Симметрия и её приложения [Текст] / И.С. Желудев. — М. : Атомиздат, 1976. — 286 с.
- Солитоны поверхностных магнитостатических волн в структуре феррит-диэлектрик-металл [Текст] / А.А. Галишников, Г.М. Дудко, Ю.А. Филимонов // Радиотехника и электроника. — 2004. — С. 228-234.
- Сравнение профилей кристаллов мартенсита, рассчитанных в волновой модели роста и наблюдаемых экспериментально [Текст] / Уральский государственный лесотехнический университет, г. Екатеринбург // . — С. 11-15.
- Структура ионных кристаллов и металлических фаз [Текст] / АН СССР ; ин-т кристаллографии. — М. : АН СССР, 1947. — 236 с. + с рис.
- Структура и свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. [Текст] / Институт физики микроструктур РАН, Нижегородский государственный университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 27-30.
- Структура и состав слоев нитрида кремния, полученных в планетарно-индукционном реакторе [Текст] / Ф.Н. Дульцев, В.В. Васильев, И.О. Парм, А.П. Соловьев // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 34-38.
- Структура и структурно-чувствительные свойства реальных кристаллов [Текст] / учебн. пособие для студентов ун-тов и технич. вузов. — К. : Вища школа, 1983. — 264 с.
- Структура кристаллов и векторное пространство [Текст] : пер. с англ. / под ред. Н. В. Белова. — М. : Иниздат, 1961. — 384 с.
- Структурная кристаллография [Текст] / В. Симонов, А. Мльцев // В мире науки : Научно-информационный журнал. — С. 76-81.
- Структурные и морфологические свойства нитридов в системах AIN/GaN/AI(2)O(3) и GaN/AIN/AI(2)0(3) [Текст] / Московский государственный институт электронной техники. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 35-39.
- Температурные аномалии и кристаллические криотехнологии [Текст] / С. Семиков // . — С. 26-31.
- Теоретическая модель управляемого полосового фильтра терагерцевого диапазона с вентильными свойствами [Текст] / К.А. Вытовтов, А.Д. Архипов // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 86-89.
- Теория экситонов [Текст] / В.М. Агранович. — М. : Наука, 1968. — 382 с.
- Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах [Текст] / под ред. К. К. Ребане. — М. : Наука, 1974. — 336 с.
- Теплоемкость кристаллов Sn2P2S6 в интервале температур 2-400 К: эксперимент и ab initio расчеты [Текст] / Ужгородский национальный университет, г.Ужгород, Украина // Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии : сб. науч. тр. — Х. : Нац. аэрокосмический ун-т "ХАИ", 2009. — С. 133-139.
- Термомеханическая обработка материалов проходной оптики импульсных лазеров среднего ИК- диапазона [Текст] / А.А.Казанцев Блистанов, О.М. Кугаенко, В.С. Петраков // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С.37-39.
- Технологiчнi основи вирощування кристалiв сполук А В з розплаву пiд тиском iнертного газу [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.02.01 "матерiалознавство" / НАН України, Науково-техн. концерн "Iнститут монокристалiв". — Х., 2001. — 36 с.
- Угловые и энергетические характеристики лучей в анизотропных кристаллах при четырехлучеотражении [Текст] / Дальневосточный государственный университет путей сообщения // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 69-71.
- Угловые избирательные свойства одномерных анизотропных фотонных кристаллов [Текст] / Днепропетровский национальный университет, г.Днепропетровск, Украина // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 86-90.
- У истоков кристаллографии [Текст] / АН СССР, Ин-т кристаллографии. — М. : Наука, 1972. — 51 с.
- Условия стабилизации кристаллических фаз системы (1-X)BiFeO3-XNaNbO3 [Текст] / П.Ю. Тесленко, Ю.В. Кабиров, А.Г. Рудская та ін. // Конструкции из композиционных материалов. — 2011. — С. 82-85.
- Феромагнітний резонанс в алюмозаміщених плівках гексафериту барію. [Текст] / Київський національний університет ім. Т.Г.Шевченка // Український фізичний журнал. — 2005. — С. 264-266.
- Физика кристаллических диэлектриков [Текст] / АН СССР, Ин-т кристаллографии. — М. : Наука, 1968. — 463 с.
1
2
3
4
|
