Зведений каталог бібліотек Харкова

Електронні напівпровідники

Документи:

Исследование электрофизических свойств материалов электронной техники [Текст] : отчет о НИР (промежуточ.) : Г306-24/86 / ХАИ; рук. Рвачев А.Л.; исполн.: Мигаль В.П., Чугай О.Н., Гаврикова И.Г., Шолкина М.В., Скидан Е.П., Михайловская Т.С. — Х., 1987. — 36 с.
Исследование закономерностей формирования и электрофизических свойств пленок силицидов тугоплавких металлов, контактных структур на их основе для кремниевых схем [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотельная электроника и микроэлектроника" / И.В. Белоусов. — Киев, 1988. — 16 с.
Исследование и моделирование электронных свойств аморфных пленок a-Si:Н [Текст] / Н.И. Слипченко, В.А. Письменецкий, Н.В. Герасименко // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.-техн. сб. / МО Украины, Харьк. техн. ун-т радиоэлектроники; редкол. : М. Ф. Бондаренко (отв.ред.) и др. — Харьков : ХТУРЭ, 1996. — С. 205-213.
Исследование и разработка методов оптимального проектирования транзисторных ключей с динамическим управлением с применением ЦВМ [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.13 - вычислительная техника / ХИРЭ. — Х., 1973. — 21 с.
Исследование кинетики начального этапа высокотемпературного окисления кремния в сухом кислороде. [Текст] / ОАО "НИИМЭ и завод Микрон".г.Москва. // . — С. 9-17.
Исследование комплексной дифференциальной проводимости многослойных гетероструктур. [Текст] / Ш.К. Каниязов, А.С. Муратов // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2011. — С. 40-44.
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности [Текст] / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, Л.Д. Коноваленко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 23-26.
Исследование линейного теплового расширения кристаллов, изготовленных из областей с разной кривизной фронта кристаллизации и уровнем неоднородности. Исследование влияния малых экспозиционных доз ионизирующего излучения на фотоэлектрические свойства. [Текст] : отчет о НИР (заключ.) : Д505-23/2011-Ф / М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т" ; рук. Чугай О. : исполн. : Абашин С., Шматко А., Яцина Ю.. — Х., 2013. — 35 с.
Исследование методами инфракрасной и фотоэлектронной спектроскопии эпитаксильных структур p-CdxHg1-xTe/CdZnTe [Текст] / ФГУП "Гиредмет", МГУ им. М.В.Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 43-49.
Исследование микродефектов, образующихся на разных стадиях формирования внутреннего геттера в Si, выращенного методом Чохральского [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 4-14.
Исследование неравновесных зарядовых состояний в сульфиде кадмия и твердых растворах CdSхCdTe(1 - х) [Текст] : отчет о НИР (промежуточ.) : 306-24/86 / ХАИ; рук. Рвачев А.Л. — Х., 1986. — 21 с.
Исследование природы электрофизической и оптической неоднородности в кристаллах Cd1-xZnxTe (x<0,004),выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации [Текст] / ФГУП "Гиредмет" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 32-36.
Исследование процессов легирования бездислокационных монокристаллов кремния, выращенных по методу Чохральского [Текст] / Запорожская государственная инженерная академия, Украина // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 4-8.
Исследование процессов механической обработки монокристаллов кремния связанным абразивом [Текст] / Н.А. Большаков, А.А. Раскин, Ю.М. Литвинов // Известия высших учебных заведений, Электроника : научно-технический журнал. — М., 2004. — 1. — С.48-52.
Исследование состава материалов на основе функциональных стекол для изготовления толстопленочных тероморезистивных датчиков [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 2008. — С. 43-48.
Исследование твердых растворов Hg1-xCrxSe с составами хрома 0.01

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10