Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники

Електронні напівпровідники

Документи:

• Методология определения механических свойств полупроводниковых материалов с помощью метода непрерывного вдавливания индентора [Текст] / Ю.М. Литвинов, М.Ю. Литвинов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — С.11-16.
• Метод оценки электрических параметров солнечных элементов в процессе контроля их эксплуатационных характеристик. [Текст] / ЗАО "Телеком-СТВ" г. Москва // . — С. 53-58.
• Метод повышения контрастности дифракционных экстремумов при зондировании глубоких сквозных отверстий [Текст] / В.Н. Ильин // Измерительная техника  : научно-технический журнал / Госком РФ по стандартизации и метрологии. — С. 43-45.
• Метод получения микро- и наноразмерных структур инконгруэнтным испарением сплавов [Текст] / Кабардино-Балкарский государственный университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 47-51.
• Методы измерения параметров полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. для вузов / Л.П. Павлов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М. : Высшая школа, 1987. — 239 с.
• Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов [Текст] : учебное пособие для вузов / Л.П. Павлов. — М. : Высшая школа, 1975. — 206 с.
• Метрологическое обеспечение линейных измерений в нанотехнологии [Текст] / Е.С. Горнев, В.В. Календин, Ю.А. Новиков та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 55-59.
• Механизм электрохимического формирования SiO2 из структуры SiO3N4-Si [Текст] / Таганрогский государственный радиотехнический университет // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 3-10.
• Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского [Текст] / Институт физикии полупроводников им.В.Е.Лашкарева НАН Украины // . — С. 37-42.
• Механизмы формирования легированного фосфором или бором анодного SiO2 на карбиде кремния [Текст] / Таганрогский технологический институт Южного федерального университета // . — С. 10-15.
• Механізм генерацп акцепторної домішки в інтерметалічному напівпровіднику ТіСоSb при сильному легуванні донорною домішкою V. 1. Дослідження структури та розподілу щільності електронних станів [Текст] / Інститут прикладних проблем механіки та математики ім. Я. Підстригача НАН України // . — С. 158-163.
• Механізми провідності інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, сильнолегованногодонорною домішкою Сu [Текст] / В.А. Ромака, М.Г. Шеляпіна, Д. Фрушарт та ін. // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 40-46.
• Микрогенераторный преобразователь давления на основе кремниевой МОП - структуры [Текст] / А.М. Гасанов, Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 29-31.
• Микродефекты в термообработанных монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации [Текст] / Московский институт стали и сплавов // . — С. 29-33.
• Микрометаллургия в микроэлектронике : принципы технологии в полупроводниковом приборостроении [Текст] / В.Ф. Дорфман. — Москва : Металлургия, 1978. — 272 с.
• Мікрохвильова діагностика та модифікація матеріалів в нанотехнологіях [Текст] : звіт про НДР ( заключит.) / МОН України, ХНУРЕ ; наук. рук. Ю. О. Гордієнко ; викон. : Ю. І. Гуд та ін. — Харків, 2008. — 264 с.
• Многоэлементные фотоприемные устройства для области спектра 0,8...2,6 мкм и их применение в инфракрасных камерах [Текст] / В. Волков // Электронные компоненты. — М. : ЗАО "КОМПЭЛ", 2007. — С. 94-100.
• Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов [Текст] / Национальній университет "Львовская политехника", г.Львов, Украина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 17-19.
• Модели параметров излучателя на несимметричных волнах в круглом диэлектрическом волноводе [Текст] / Национальный аэрокосмический университет им.Н.Е Жуковского "ХАИ", г.Харьков, Украина, Институт информационно-волновых технологий, г.Киев, Украина // Радіоелектронні і комп'ютерні системи. — 2009. — С. 23-35.
• Моделирование в тепловых расчетах [Текст] / Д. Дивинс // Электронные компоненты. — М. : ЗАО "КОМПЭЛ", 2008. — С. 23-24.
• Моделирование действия подпороговой радиации в изделиях электронной техники [Текст] / А.В. Манжосов, О.О. Фейгин // Радиотехнические системы и устройства : сб. науч. тр. / Гос. ком. СССР по народ. образованию, Харьк. авиац. ин-т им. Н.Е. Жуковского. — Х. : ХАИ, 1988. — С. 83-86.
• Моделирование диффузионного массопереноса имплантирования примесей в кремнии. 1. формулировка модели [Текст] / Физико-технический институт НАН Белоруси // Инженерно-физический журнал. — 2007. — С. 3-11.
• Моделирование и оптимизация конструкции теплового экрана в установке «Редмет-ЭОМ» для выращивания монокристаллов кремния большого диаметра [Текст] / Инстиститут проблем механики им.А.Ю.Ишлинского РАН, Россия // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 43-48.
• Моделирование образования ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния большого диаметра [Текст] / А.И. Простомолотов, Н.А. Верезуб, В.В. Воронков // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — С.48-53.
• Моделирование особенностей трехмерного теплопереноса и дефектообразования при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния большого диаметра по методу Чохральского [Текст] / Н.А. Верезуб, А.И. Простомолов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 4-10.
• Моделирование температурных характеристик кремниевых датчиков при малых уровнях инжекции [Текст] / П.А. Яганов // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2005. — С. 72-78.
• Моделирование тепловых процессов и дефектообразования при выращивании и термообработке бездислокационных монокристаллов и пластин кремния [Текст] / Институт проблем механики РАН // . — С. 49-53.
• Модель неравновесной кристаллизации для численного решения задачи роста полупроводниковых кристаллов из расплавов [Текст] / В.А. Гончаров, И.В. Азанова, Б.В. Васекин // . — С. 5-14.
• Модель термического окисления кремния с релаксацией коэффициента диффузии [Текст] / Санкт-Петербургский электротехнический университет -ЛЭТИ, г.Санкт-Петербург, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — С. 9-18.
• Моделювання низькотемпературного струмоперенесення і чутливість в кремнієвих діодних сенсорах температури. [Текст] / Інститут фізики НАН України, м.Київ, Україна // Український фізичний журнал. — 2004. — С.1001-1006.
• Моделювання фотопровідності поруватого кремнію: підвищення точності аналітичних розрахунків [Текст] / Л. Монастирський, Б. Соколовський, М. Павлик // Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології : науковий збірник / НАНУ; Центр математичного моделювання ін-ту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача. — К., 2011. — С. 87-94.
• Модернизация импульсной рентгеновской установки УС-4 и исследование радиационной стойкости узлов и макетов РЭА [Текст] : отчет о НИР (заключ.) : 402-112/82 / ХАИ; рук. Гайдуков В.Ф.; исполн.: Нечепоренко А.А., Грицан В.А., Деребчинский А.И., Добротворский С.С. — Х., 1985. — 31 с.
• Модификация электрофизических и фотоэлектрических свойств кристаллов ZnSe И Cd [1-x ] Zn [ x ]Te для электронной техники [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технология, оборудование и производство электронной техники" / Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "ХАИ". — Харків, 2008. — 190 с.
• Модификация метода ван дер пау для измерения электрофизических параметров высокоомных полупроводников [Текст] / А.Г. Белов, В.А. Голубятников, Ф.И. Григорьев та ін. // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 115-119.
• Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость [Текст] / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова та ін. // Вопросы атомной науки и техники / НАНУ; Нац. научный центр "ХФТИ". — Х., 2007. — С. 55-62.
• Модификация свойств контактов Au-Ti(W, Cr, TiВх)-GaAs внешними воздействиями [Текст] / КИЕН ККо АН РУз, г.Нукус, Узбекистан // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2009. — С. 71-77.
• Модифікація електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe I Cd[1-x]Zn[x]Te для електронної техніки [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. — Харків, 2008. — 19 с.
• Молекулярно-іонні адсорбційні механізми відгуку в багатоелементних мікро- та оптоелектронних сенсорних системах [Текст] : автореф. дис. ... д-р фіз.-мат. наук : 01.04.01 "Фізика приладів, елементів і систем" / НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. — Київ, 2016. — 38 с.
• Молекулярно-лучевое осаждение сверхтонких слоев кремния на сапфире [Текст] / Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского // . — С. 61-65.
• Монокристаллы кремния и специальные двойниковые структуры, предназначенные для использования в фотопреобразователях. [Текст] / С.Н. Богомолов, Р.В. Кибизов // . — С. 50-54.
• Монтаж и наладка испытательного оборудования полупроводникового производства [Текст] : учеб. пособие для ПТУ / А.А. Бухман, А.А. Шокальский, С.А. Сальников, Г.Б. Корневич. — М. : Высшая школа, 1973. — 334 с.
• Мощные ВЧ и СВЧ полупроводниковые компоненты компании INTEGRA TECHNOLOGIES, Inc [Текст] // Электронные компоненты и системы. — 2006. — №9. — С. 39.
• Нагрев спеченного электрода осветительных ламп потоком частиц в целях пееход тлеющего разряда в дуговой [Текст] / А.С. Матвеев // Конструкции из композиционных материалов. — 2012. — С. 23-25.
• Направления совершенствования методов контроля плотности окислительных дефектов упаковки на основе их статистического анализа. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 65-71.
• Напряжение в решетке Si вблизи преципитатов бета-FeSi(2) [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 39-44.
• Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников [Текст] : пер. с англ. / под ред. Д. Миза. — М. : Мир, 1982. — 264 с.
• Некоторые конструктивные и технологические особенности выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского [Текст] / С.В. Алексеев, Х.И. Макеев, А.Н. Шотаев // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 45-47.
• Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N0Al0,2Ga0,8As–n+GaAs–n0Ga0,9In0,1As–Au-структуры [Текст] / НПО "Физика-Солнце" г.Ташкент, Узбекистан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 46-49.
• Некоторые проблемы материаловедения и технологии легированных структурно-совершенных монокристаллов кремния. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 16-22.
• Некоторые свойства кремниевых структур, полученных лазерным микроструктурированием [Текст] / А.М. Скворцов, С.С. Дышловенко, М.В. Погумирский та ін. // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 79-84.

1    2    3    4    5   6    7    8    9    10