Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники

Електронні напівпровідники

Документи:

• Неоднородность примеси в полупроводниковых кристаллах, выращенных в космических условиях методами направленной кристаллизации [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 3-10.
• Непружне розсіяння електронів на полярних оптичних фононах в телуриді ртуті [Текст] / О.П. Малик // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 678-681.
• Низкоэнергетическое ионное стимулирование процессов формирования тонкопленочных кремнийсодержащих материалов и многослойных структур на их основе. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 22-30.
• Низкочастотные фотоосцилляции в монокристаллах селенида цинка [Текст] / М.В. Шолкина, В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев // Радиоэлектроника летательных аппаратов : темат. сб. науч. тр. / Харьк. авиац. ин-т. — Харьков, 1976. — С. 47-52.
• Новая технология получения кремния для СВЧ-устройств [Текст] / А.В. Еремеев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.12-17.
• Новые полупроводниковые материалы. Физико-химические и технологические вопросы получения полупроводниковых соединений группы А ^ III B ^ V [Текст] : сб. пер. ст. / под ред. А. Я. Нашельского. — Москва : Металлургиздат, 1964. — 272 с.
• Новые полупроводниковые материалы. Физические свойства и применения полупроводниковых соединений типа А ^ III B ^ V [Текст] : сб. ст. : пер. с англ. / под ред. Б. Т. Коломийца. — Москва : Иниздат, 1958. — 229 с.
• Новые технологии получения поликристаллического кремния для солнечной энергетики [Текст] / НИИ особо чистых материалов, г.Москва // Известия вузов. Электроника. — 2008. — С. 10-17.
• Новый метод 3D-регрессии экспериментальных данных приемников излучения [Текст] / ООО "Прим-Арт". // Измерительная техника  : научно-технический журнал / Госком РФ по стандартизации и метрологии. — С. 44-47.
• Обзор мирового рынка арсенида галлия [Текст] / А.В. Наумов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — С.20-25.
• Обзор мирового рынка германия. [Текст] / ООО"Квар" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 7-14.
• Об одной особенности спектральной характеристики гетероструктуры ZnS-GaP [Текст] / Саратовский государственный университет. // Известия вузов. Электроника. — 2006. — C. 85-86.
• Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // . — С. 54-57.
• О возможности использования квазижидкого приближения приграничного слоя при моделировании МОС-гидридной эпитаксии полупроводников AIIIBV. [Текст] / Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В.Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 48-51.
• О группе низкотемпературных элементарных диэлектриков и полупроводников [Текст] / Московский институт стали и сплавов, Россия // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 67-69.
• Одномерный подход к моделированию Siemens-процесс [Текст] / Д.С. Бровин, А.А. Ловцюс, С.Н. Колгатин // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 6-10.
• Однородность распределения удельного электросопротивления в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского [Текст] / Московский институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 40-44.
• Оксидные ферромагнитные полупроводники для спиновой электроники. [Текст] / ФГУП "Гиредмет" // . — С. 20-25.
• О механизмах перераспределения примеси в полупроводниках при внедрении ионов из потока плазмы [Текст] / И.И. Залюбовский, А.К. Гнап, Н.М. Пелихатный та ін. // Источники и ускорители плазмы : межвуз. темат. сб. науч. тр. / ХАИ. — Харьков : ХАИ, 1982. — С. 80-85.
• О поглощении линейно поляризованного излучения в наноструктуре полупроводника с дірочной проводимостью [Текст] / Б. Мамадалиев, И.М. Коканбаев, В.Р. Расулов, Р.Я. Расулов // . — С. 195-203.
• О политропии серы в фосфиде галлия [Текст] / ФГОУ ВПО "Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" // . — С. 34-37.
• Определение кристаллографической разориентации в структурах нитридов III группы на сапфире и в композициях нитрид-на-нитриде. [Текст] / В.В. Смирнов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 74-77.
• Определение неразрушающих режимов термообработки диэлектрических и полупроводниковых пластин. [Текст] / Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого. // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 39-42.
• Определение погрешности базирования тонкостенных цилиндров при установке на цанговую оправку [Текст] / Тульский государственный университет // Технология машиностроения : Обзорно-аналитический, научно-технический и производственный журнал. — М. : Технология машиностроения, 2010. — С. 21-24.
• Определение состава кристаллов твердого раствора Cd1-yZnyTe по спектрам пропускания в области собственных переходов [Текст] / ФГУП "Гиредмет" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 26-29.
• Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами [Текст] / Д.М. Ёдгоров, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 27-30.
• О природе центров зарождения локальной жидкой фазы на поверхности полупроводников при быстром нагреве [Текст] / Я.В. Фаттахов, М.Ф. Галяутдинов, Т.Н. Львова та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 74-77.
• Оптимізація структурно-морфологічних параметрів монокристалів Cd (Zn) Te для створення детекторів ядерного випромінювання [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. — Київ, 2016. — 21 с.
• Оптическая запись и разрешение запоминающей среды [Текст] / С.П. Гаплевская // Радиоэлектроника летательных аппаратов : темат. сб. науч. тр. / МВиССО СССР. — Харьков : ХАИ, 1977. — С. 110-112.
• Оптическая модуляционная спектроскопия полупроводниковых структур. [Текст] / МФТИ // . — С. 86-95.
• Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического кремния, компенсированного бором. [Текст] / Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Физико-Технический институт им.Иоффе // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 56-59.
• Оптичні дослідження твердого розчину. [Текст] / Інститут фізики, НАН Азербайджана // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 118-120.
• Оптичні і фотоелектричні елементи інфрачервоного діапазону на основі монокристалів і шарів In4Se3, In4Te3 та CdSb [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотільна електроніка" / Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. — Чернівці, 2015. — 23 с.
• Оптронные устройства гальванической развязки силовых транзисторных ключей [Текст] / С. Конюхин, П. Свиридов // Электронные компоненты. — М. : ЗАО "КОМПЭЛ", 2007. — С. 26-32.
• Основные эффекты в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками. [Текст] / Институт физики полупроводников СО РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 15-25.
• Основные типы радиационных центров и их влияние на электрофизические параметры кремниевых диодных структур при обработке быстрыми электронами [Текст] / Е.А. Ладыгин, М.Н. Орлова, Д.Л. Волков // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 22-27.
• Основы пленочного материаловедения [Текст] / Л.С. Палатник. — М. : Энергия, 1973. — 295 с.
• Особенности генерации дислокаций от внутренних источников в термообработанных бездислокационных пластинах кремния при воздействии внешних нагрузок [Текст] / М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, В.Я. Резник // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 11-15.
• Особенности гетерогенного зарождения дислокаций в термообработанных пластинах кремния при приложении внешних нагрузок. [Текст] / Институт химических проблем микроэлектроники // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 4-7.
• Особенности гетерогенного механизма образования и трансформации ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния [Текст] / В.И. Таланин, И.Е. Таланин // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 14-24.
• Особенности использования термооптического метода для исследования радиационных дефектов в имплантированном кремнии. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // . — С. 35-40.
• Особенности кинетики анодного окисления вращающихся кремниевых пластин в легирующих электролитах [Текст] / Технологический институт Южного Федерального университета в г. Таганроге // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 70-71.
• Особенности компенсации кремния глубокими примесями Au и Ni [Текст] / А.В. Еремеев, Г.Д. Кузнецов, Ю.Ю. Маленков // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — С.54-58.
• Особенности легирования интерметаллического полупроводника p-TiCoSb донорной примесью Cu [Текст] / В.А. Ромака, Ю.В. Стадных, Д. Фрушарт та ін. // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 455-459.
• Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / ООО "Сигм Плюс" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 36-40.
• Особенности механизмов переноса носителей заряда в сформированных на поверхности кремния ансамблях полупроводниковых комплексов бутилзамещенного трифталоцианина, содержащих атомы эрбия [Текст] / МГУ им М.В.Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 71-74.
• Особенности образования дефектов в кремнии при окислении. [Текст] / ОАО "Корпорация КЕПП". // . — С. 19-24.
• Особенности образования сплавов в системе таллий - сера [Текст] / МГУ им.М.В.Ломоносова // . — С. 37-44.
• Особенности переноса заряда в полимерніх пленках [Текст] / Башкирский государственный педагогический университет им. М.Акмуллы // Нанотехнологии. — М., 2010. — С. 36-47.
• Особенности поведения фоновой примеси углерода в монокристаллах кремния, легированных сурьмой. [Текст] / Запорожская государственная инженерная академия. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 18-21.

1    2    3    4    5    6   7    8    9    10