Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Електроніка. Мікроелектроніка

Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи

Підтеми:

• Напівпровідникові пристрої
• Напівпровідникові елементи/Электронные полупроводниковые приборы/Electronic semiconductor devices

Документи:

• Интегральные схемы в радиоэлектронных устройствах [Текст] / И.Н. Мигулин, М.З. Чаповский. — Киев : Техніка, 1978. — 232 с.
• Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках [Текст] : монография / под ред. В.Н. Алфеева. — М. : Радио и связь, 1985. — 232 с.
• Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках [Текст] / под ред. В. Н. Алфеева. — Москва : Радио и связь, 1985. — 232 с.
• Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление [Текст] : пер. с англ. / под ред. Гальперина М. В. — М. : Мир, 1985. — 501 с.
• Интегральные схемы на МДП-приборах [Текст] : пер. с англ. / под ред. А. Н. Кармазинского. — Москва : Мир, 1975. — 527 с.
• Интегральные схемы. Принципы конструирования и производства [Текст] : пер. с англ. / под ред. А. А. Колосова. — Москва : Советское радио, 1968. — 264 с.
• Интегральные схемы [Текст] : пер. с англ. / под ред. Мартюшова К. И. — М. : Советское радио, 1970. — 592 с.
• Интегральные схемы: технология и применение [Текст] : пер. с англ. / Ф. Мейзда. — Москва : Мир, 1981. — 280 с.
• Интегральные триггеры устройств автоматики [Текст] / Т.М. Агаханян, С.П. Плеханов. — К. : Машиностроение, 1978. — 368 с.
• Интегральный источник опорного напряжения с двойной стабилизацией и компенсацией технологического разброса [Текст] / Р.Р. Фахрутдинов, К.В. Мурасов, Р.А. Вольф та ін. // Успехи современной радиоэлектроники. — 2015. — С. 170-174.
• Интеграция данных в САПР БИС : Направления практической реализации [Текст] / Ю.Н. Беляков, А.А. Руденко, И.Г. Топузов, Ю.Б. Егоров. — М. : Радио и связь, 1990. — 159 с.
• Интегрированные компоненты в электронных устройствах. [Текст] / А. Мельниченко // Электронные компоненты и системы. — 2005. — №2. — С. 29-32.
• Интеллектуальные системы автоматизированного проектирования больших и сверхбольших интегральных микросхем [Текст] / под ред. В. А. Мищенко. — М. : Радио и связь, 1988. — 271 с.
• Интерактивные системы проектирования гибридных интегральных микросхем [Текст] / О.Е. Добронравов, О.Ф. Цурин, В.П. Трофимов. — М. : Энергоатомиздат, 1985. — 120 с.
• "ИНТЕРЛИНК": надежный монтаж обеспечен! [Текст] // Электропанорама : Электротехнический журнал. — К. : ООО "Электроинформ-центр Украины", Блиц-Принт, 2005. — С. 22-23.
• Интерференция чувствительностей МДП-сенсоров к концентрациям газов в воздухе [Текст] / А.В. Литвинов, И.Н. Николаев // Измерительная техника  : научно-технический журнал / Госком РФ по стандартизации и метрологии. — С. 62-64.
• Интроскопия квантовых наноэлектронных устройств [Текст] / Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. // Российские нанотехнологии. — М., 2010. — С. 117-127.
• Информативность параметра "энергия вторичного пробоя" мощных переключательных транзисторов. [Текст] / НПП "Полет" г. Нижний Новгород // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2004. — С. 37-43.
• Ионное травление микроструктур [Текст] / Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев. — Москва : Советское радио, 1979. — 103 с.
• Искусство схемотехники [Текст] : в 2 т.: пер. с англ. / под ред. М. В. Гальперина. — 3-е изд., стер. — М. : Мир, 1986. — 598 с.
• Искусство схемотехники [Текст] : в 2 т.: пер. с англ. / под ред. М. В. Гальперина. — Москва : Мир, 1983. — 598 с.
• Искусство схемотехники [Текст] : в 2 т. с доп. : пер. с англ. / под ред. М. В. Гальперина. — Москва : Мир, 1983. — 590 с.
• Искусство схемотехники [Текст] : в 2 т. с доп. : пер. с англ. / под ред. М. В. Гальперина. — М. : Мир, 1986. — 590 с.
• Искусство схемотехники [Текст] = The art of electronics : пер. с англ. / П. Хоровиц, У. Хилл. — 7-е изд. — М. : Мир ; БИНОМ, 2010. — 704 с.
• Использование емкости р-n перехода полупроводниковых приборов для управления частотой автогенераторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / МАИ им. С.Орджоникидзе. — М., 1960. — 8 с.
• Использование математического моделирования для измерений наноразмеров в микроэлектронике [Текст] / А.В. Никитин // Измерительная техника  : научно-технический журнал / Госком РФ по стандартизации и метрологии. — С. 25-29.
• Использование полупроводниковых приборов в узлах электронной аппаратуры [Текст] : сб. науч. работ / под ред. Степаненко И. П. ; МИФИ, каф. электроники. — М. ; Л. : Госэнергоиздат, 1958. — 176 с.
• Испытание и исследование полупроводниковых приборов [Текст] : учеб. пособие для вузов / В.Л. Аронов, Я.А. Федотов. — М. : Высшая школа, 1975. — 328 с.
• Испытание и исследование полупроводниковых приборов [Текст] : учеб. пособие для студ. вузов по спец. полупроводниковой техники / В.Л. Аронов, Я.А. Федотов. — М. : Высшая школа, 1975. — 325 с.
• Испытания и примеры использования туннельных диодов [Текст] : учеб. пособ. / Т.В. Коваленко. — М., 1972. — 60 с.
• Испытания силовых полупроводниковых приборов [Текст] / О.Г. Чебовский, Л.Г. Моисеев. — М. : Энергоиздат, 1981. — 200 с.
• Исследование адсорбата воздуха на твердотельных подложках методами атомно-силовой микроскопии [Текст] / А.Н. Булатов, С.В. Хартов // Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. — М., 2004. — №4. — С.9-16.
• Исследование внутренних электрических процессов в полупроводниковых приборах зондовым методом [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.08 - электронная техника и приборы / МАИ им. С.Орджоникидзе. — М., 1973. — 13 с.
• Исследование возможности напыления резистивных пленок методом взрывающихся проволочек [Текст] : отчет о НИР : 505-/70 / ХАИ ; рук. Зенин Б.М. ; исполн.: Маликов В.Н. — Х., 1970. — 46 с.
• Исследование электрических свойств туннельных переходов при действии механических возмущений и разработка метода оценки качества технологических процессов их изготовления [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.259 - технология приборостроения / Ленинград. ин-т авиац. приборостроения. — Л., 1971. — 26 с.
• Исследование электроизделий электромашин и электромагнитов с капсулированными обмотками и пазами, разработка оснастки и элементов технологии для капсулирования электродвигателей [Текст] : отчет о НИР : 811-69/84 / ХАИ ; рук. Яковлев А.И. ; исполн.: Яковлев А.И., Лукьянченко В.В. — Х., 1984. — 71 с.
• Исследование энергетических характеристик автогенераторов миллиметровых и субмиллиметровых волн на основе резких p-n переходов [Текст] / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 74-79.
• Исследование импульсных шумов полупроводниковых приборов как предвестников их отказов [Текст] / А.С. Сердаков, А.И. Карпов // Радиоэлектроника летательных аппаратов : темат. сб. науч. тр. — Х. : ХАИ, 1984. — С. 205-210.
• Исследование и повышение стабильности работы операционных усилителей в схемах драйверов емкостных сенсоров [Текст] / Национальный университет "Львовская политехника" // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 20-24.
• Исследование кремния с примесью цинка методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе [Текст] / Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 71-73.
• Исследование надежности автоматизированного вакуумного технологического оборудования в условиях эксплуатации [Текст] / В.П. Гаценко, Ю.В. Юрков // Наукоемкие технологии : научно-технический журнал. — М. : Радиотехника, 2007. — С. 50-54.
• Исследование напряженно-деформированного состояния материалов герметизированной сборочной конструкции СВЧ МДП-диодов [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 2008. — С. 8-14.
• Исследование обратимых отказов GaAs ПТШ при импульсных перегрузках [Текст] / Воронежский государственный университет // Известия вузов. Электроника. — 2006. — С. 69-77.
• Исследование осаждения слоев нитрида кремния из паровой фазы аммонолизом дихлорсилана при пониженном давлении [Текст] / НПК "Технологический центр" МИЭТ, г.Москва, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — С. 3-9.
• Исследование параметров взаимодействия фокусированных ионных пучков с подложкой [Текст] / О.А. Агеев, А.С. Коломийцев // Известия вузов. Электроника. — 2011. — С. 20-25.
• Исследование процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния в парогазовой смеси с пониженной полимеризационной способностью [Текст] / А.А. Голишников, Д.А. Костюков, М.Г. Путря // Известия вузов. Электроника. — 2011. — С. 14-19.
• Исследование процесса проявления электронорезиста с учетом закономерностей формирования в нем скрытого изображения [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 "Твердотельная электроника и микроэлектроника" / Ин-т кибернетики им. В. М. Глушкова. — Киев, 1990. — 16 с.
• Исследование рабочего диапазона применения сэндвич-струкур в качестве элементов микросхем [Текст] : отчет о НИР (заключ.) : Г505-26/76 / ХАИ ; рук. Рвачев А.Л. ; исполн.: Лещенко Н.Е. — Х., 1980. — 19 с.
• Исследование рекомбинационных процессов в полупроводниках спектральным методом [Текст] / Ю.Е. Гордиенко, Б.Г. Бородин, С.В. Бабыченко, Анзех Абу // Радиоэлектроника и информатика : научно-технический журнал. — Харьков, 2002. — 4. — С.36-39.
• Исследование рентгеночувствительных p-i-n- структур методом термостимулированной спектроскопии глубоких уровней [Текст] / С.В. Булярский, А.С. Басаев // Известия вузов. Электроника. — 2005. — С.78-82.

1    2    3    4    5    6    7   8    9    10    11    12    13    14    15    16    17