Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники

Електронні напівпровідники

Документи:

• Особенности применения конструкционных материалов при изготовлении электродов вакуумных приборов [Текст] / Калужский филиал МГТУ им. Баумана, г. Калуга // . — С. 28-31.
• Особенности процесса токопереноса в структурах на основе нитрида галлия с одной квантовой ямой [Текст] / Ульяновский государственный университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 55-59.
• Особенности процессов гальвано статистического анодирования алюминия, кремния и пленок нитрита кремния [Текст] / Технологический институт Южного федерального университете в г. Таганрог // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 88-90.
• Особенности распределения электрически активного фосфора в кремнии при диффузии из анодной оксидной пленки в условиях быстрой термической обработки. [Текст] / Таганрогский государственный радиотехнический университет, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2004. — С. 90-92.
• Особенности распределения заряда, напряженности электрического поля и потенциала в высоковольтных барьерных структурах на основе SiC. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов, Физико-Технический институт им. А.Ф.Иоффе. // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 50-56.
• Особенности рациональнно-индуцированного изменения структурных свойств кремния, находящегося под воздействием упругого и электрического полей. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 64-68.
• Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si: Н при наличии подсветки [Текст] / Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 28-31.
• Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами малых энергий [Текст] / Институт ядерной физики МГУ им.М.В.Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 52-56.
• Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si (111), имплантированных ионами аргона при 80 К. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // . — С. 71-75.
• Особенности фоточувствительности полевого фототранзистора Ср-n переходом, канал которого легирован оловом [Текст] / Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2008. — С. 65-71.
• Особенность реализации метода затухания фотопроводимости при измерении рекомбинационных параметров полупроводника [Текст] / Московский государственный институт электронной техники, г.Москва, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2010. — С. 75-79.
• Особливості акустичних властивостей кераміки BaLa2Ti4O12 в інтервалі температур 100-300 К. [Текст] / Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 793-795.
• Особливості дефектоутворення у приповерхневих шарах монокристалів кремнію при акустостимульованій імплантації іонів бору та миш'яку [Текст] / Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України // . — С. 140-146.
• Особливості легування інтерметалічного напівпровідника p-TiCoSb донорною домішкою Сг. 2. Експериментальні дослідження [Текст] / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, Д. Фрушарт та ін. // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 650-656.
• Особливості провідності напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xInx [Текст] / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, Д. Фрушарт // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 952-958.
• Особливості фотоелектричних процесів у плівкових гетеросистемах CdS/CdT/ ITO. [Текст] / Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" // Український фізичний журнал. — 2005. — С. 390-394.
• Осциляционная зависимость холловской подвижности электронов от температуры отжига в облученном кремнии. [Текст] / Грузинский технический университет, г.Тбилиси // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 1007-1009.
• Оцінка випромінювальних властивостей апарату для інформаційно-хвильової терапії [Текст] / В.П. Олійник, С.М. Куліш // Радіоелектронні і комп'ютерні системи : наук. - техн. журн. / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". — Х. : ХАІ, 2016. — С. 155-159.
• Очистка спеченных электродов источников света при тепловом воздействии [Текст] / А.С. Матвеев // Конструкции из композиционных материалов. — 2012. — С. 26-27.
• Параметрический анализ формирования вакансионніх микродефектов в монокристаллах кремния [Текст] / Н.А. Верезуб, М.Г. Мильвидский, А.И. Простомолотов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 29-34.
• Пленки алмаза и кубического нитрида бора, наносимые при низких температурах [Текст] / Н.Н. Сирота // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — С.14-19.
• Пленочные тензорезисторы на основе полупроводникового сплава Pb1-хSnхSe [Текст] / Р.М. Менумеров // Авиационно-космическая техника и технология. Вып. 32 ; М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т" - Х. : Антиква , 2002. — С. 362-365.
• Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени [Текст] / Ю.Н. Бобренко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Н.В. Ярошенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 33-34.
• Поверхностные волны в магнетиках. [Текст] / Институт радиофизики и электроники им.А.Я.Усикова НАН Украины. // . — С. 68-80.
• Поверхностные электромагнитные колебания терагерцового диапазона в плазмоподобных средах, содержащих потоки заряженных частиц [Текст] / С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 51-57.
• Повышение производительности систем за счет гибкой подсистемы тактирования [Текст] / Г. Бек // Электронные компоненты. — М. : ЗАО "КОМПЭЛ", 2007. — С. 87-88.
• Поглощение СВЧ-энергии в твердых растворах системы PbTiO3-PbZrO3-PbNb2/3Mg1/3O3-PbGeO3 [Текст] / Институт физики Южного федерального университета, г. Ростов-на-Дону, Россия // . — С. 64-73.
• Подвижность и механизмы рассеяния в структурах на основе InGan. [Текст] / Ульяновский государственный университет // . — С. 68-72.
• Подвижность неосновных носителей заряда в пленках р-КРТ, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легируемых мышьяком [Текст] / Институт физики полупроводников СО РАН // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 86-92.
• Полупроводники и их применение [Текст] / Ф.П. Пресс. — М. : Госкультпросветиздат, 1957. — 32 с.
• Полупроводники [Текст] : пер. с англ. / под ред. С. С. Шалыта. — М. : Иниздат, 1957. — 158 с.
• Полупроводники [Текст] : пер. с англ. / Р.А. Смит. — изд. 2-е, перер. и доп. — М. : Мир, 1982. — 558 с.
• Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения [Текст] / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 7-9.
• Полупроводниковые материалы для приборов с междолинным переносом электронов [Текст] / Э.Д. Прохоров, Н.И. Белецкий. — Харьков : Вища школа, 1982. — 144 с.
• Полупроводниковые твердые растворы и их применение [Текст] : справочник / под ред. В. Г. Средина. — М. : Воениздат, 1982. — 208 с.
• Получение автоэпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов, ФГУП НИИ "Гиредмет" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 53-58.
• Получение автоэпитаксиальных слоев кремния на подложках цилиндрической формы методом парофазной эпитаксии химическим осаждением в системе SiH4-H2 [Текст] / А.С. Гришко, Т.Т. Кондратенко, В.В. Митин, С.Н. Чигир // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — C.32-36.
• Получение и исследование эпитаксиальных слоев InxGa1-xSb(x<0,06), выращенных методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Ю.Н. Пархоменко, А.А. Шленский, Г.В. Шепекина та ін. // . — С. 54-59.
• Получение и исследование светоизлучающих кремниевых наноструктур на основе композитных слоев SiOxNy(Si) [Текст] / Московский институт стали исплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 65-70.
• Получение новых кристаллических матриц ZnSexS1-x для лазерных сред среднего ИК-диапазона [Текст] / Е.Л. Барсукова, Л.И. Постнова, В.И. Левченко // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 31-33.
• Получение пленок твердых растворов (SiC)1-x(AIN)x ионным распылением. [Текст] / Дагестанский государственный университет. // . — С. 48-51.
• Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6 [Текст] / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 42-44.
• Получение сверхчистых объемных полупроводниковых материалов в условиях космического вакуума [Текст] / Б.Е. Патон, Е.А. Аснис, С.П. Заболотин та ін. // Космічна наука і технологія  : наук. - практ. журн. / Нац. косм. агентство України, Нац. акад. наук України. — С. 30-32.
• Получение четырехкомпонентных твердых растворов методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А.А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — С.25-31.
• Получение GaAs - методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А.А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — С.21-24.
• Потоки заряженных чатиц в слоистых плазмоподобных средах [Текст] / Институт радиофизики и электроники им. А.Я.Усикова НАН Украины, г.Харьков // Радиофизика и электроника.Специальный выпуск. — Х., 2008. — С. 391-403.
• Применение коротких световых импульсов для измерения параметров солнечного элемента [Текст] / ЗАО "Телеком-СТВ", г.Москва, Россия // . — С. 65-70.
• Применение математического моделирования процесса выращивания методом Чохральского для эффективного производства монокристаллов кремния, предназначенных для солнечной энергетики [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 11-17.
• Применение статистических методов для анализа технологических параметров выращивания монокристаллов кремния. [Текст] / Красноярская государственная академия цветных металлов и золота им. М.И.Калинина. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 22-25.
• Применение тестового гамма-облучения для отбраковки потенциально ненадежных гетероэпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 42-45.

1    2    3    4    5    6    7   8    9    10