Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники

Електронні напівпровідники

Документи:

• Примеси и точечные дефекты в полупроводниках [Текст] / под ред. С. М. Рывкина. — М. : Радио и связь, 1981. — 248 с.
• Природа сопротивления компенсированного слоя и механизмы рекомбенации в светодиодных структурах [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 20-25.
• Причины спада выходной мощности излучения и внешнего квантового выхода светодиодных структур AlGan/InGan/Gan с квантовыми ямами при больших напряжениях прямого смещения. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // . — С. 45-49.
• Производство фотоэлектрических преобразователей и рынок кремниевого сырья в 2006-2010 гг. [Текст] / ООО "КВАР" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 29-35.
• Профили распределения дефектов в эпитаксильных пленках, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при ионной имплантации аргона и азота [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев, А.Г. Коротаев та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 60-65.
• Процессы геттерирования их роль в технологии полупроводниковых приборов, основные механизмы. [Текст] / НИИ "Пульсар", МАДИ (ГТУ) // . — С. 4-8.
• Пути повышения эффективности AIxGa1-xN/GaN-гетероструктур для полевых транзисторов. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 4-14.
• Радиационное дефектообразование в варизонных эпитаксиальных структурах CdxHg1-x при ионной имплантации [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев, А.Г. Коротаев та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 35-40.
• Радиационно-стойкие фотодиоды с термоэлектрическим охлаждением [Текст] / К.А. Аскеров, В.И. Гаджиева, Б.Ш. Бархалов та ін. // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 168.
• Радіаційне дефектоутворення в n-Si з домішками свинцю і вуглецю [Текст] / В.Б. Неймаш, В.В. Войтович, М.М. Красько та ін. // Український фізичний журнал. — 2005. — С. 1273-1277.
• Разработка алгоритмов оперативного управления процессами производства полупроводниковых материалов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.06 "Автоматизированные системы переработки информации и управления" / Харьк. ин-т радиоэлектроники. — Харьков, 1982. — 26 с.
• Разработка алгоритмов оперативного управления процессами производства полупроводниковых материалов [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.13.06 "Автоматизированные системы переработки информации и управления" / Харьк. ин-т радиоэлектроники. — Харьков, 1982. — 219 с.
• Разработка и создание пленочных теллуровых измерителей мощности [Текст] : отчет о НИР (заключит.) / МОН України, ХИРЭ ; науч. рук. Демьянков И. Ф. ; исполн. : Тесленко А. И. и др.. — Харьков, 1984. — 29 с.
• Распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si:H [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // . — C. 7-14.
• Распределение удельного электрического сопротивления в мнонокристаллах кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки [Текст] / Московский институт стали исплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 9-14.
• Расчет пространственного распределения микродефектов в монокристаллах кремния [Текст] / Д.Н. Пузанов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 63-68.
• Расчет резонансных частот электронов, находящихся в контактной области двух полупроводников [Текст] / Ш.К. Каниязов, К.А. Исмайлов, А.С. Муратов // . — С. 55-60.
• Расчет температурных зависимостей структуры и плотности состояний гексагонального оксида цинка [Текст] / Т.В. Горкавенко, С.М. Зубкова, Л.Н. Русина та ін. // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 460-467.
• Регулятор оборотов микродрели на PIC-контролере. [Текст] / М. Потапчук // Радиомир. — 2005. — С. 21-23.
• Ректификационная очистка трихлорида мышьяка от примеси кислорода [Текст] / Кременчугский институт экономики, информационных технологий и управления // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 59-60.
• Розробка технології рідинної епітаксії в системі Pb-Sn-Te-Se з низьким вмістом селену [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / МОНМС України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. — Кременчук, 2011. — 16 с.
• Розроблення методів та техничних засобів НВЧ мікродіагностики матеріалів, середовищ та структур [Текст] : звіт про НДР ( заключит.) / МОН України, ХНУРЕ ; наук. рук. Ю.О.Гордієнко ; викон. : Ю.И.Гуд та ін. — Харків, 2009. — 115 с.
• Розсіяння носіїв заряду в епітаксійних плівках PbSe [Текст] / Д.М. Фреїк, В.Ф. Пасічник, О.Л. Соколов, Б.С. Дзундза // . — C. 1237-1239.
• Роль вольфраму у струмоутворенні при каталітичному розкладанні води [Текст] / Інститут фізики напівпровідників НАН України // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 536-541.
• Самоорганозованные имплантированные наноразмерные структуры в полупроводниках. [Текст] / Н.Н. Герасименко // Известия вузов. Электроника. — 2005. — С. 107-112.
• Свойства подзатворного окисла p-канальных МДП-транзисторов, сформированных имплантацией ионов ВF2+ [Текст] / Московский государственный институт электронной техники (технический университет) // Известия вузов. Электроника. — 2003. — С. 7-11.
• СВЧ-детектор на основе КРТ-фотодиода для исследования субтермоядерной плазмы [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 5-16.
• Силовые компоненты: производители и применения [Текст] // CHIP News : Научно-технический журнал. — К. : НПК "ТИМ", ООО "Булавиа-Посад", 2009. — С. 42-51.
• Силовые полупроводниковые приборы SEMIKRON [Текст] / А. Колпаков // Радиокомпоненты. — 2005. — С. 30-31.
• Силовые Trenchosfet- решения от IXYS для проектирования низковольтных электроприводов [Текст] / Ю.А. Коваль // Радиокомпоненты. — 2008. — С. 34-36.
• Синтез и электрические свойства гетероструктуры на основе пленки n-SnO2/p-Si [Текст] / С.В. Канныкин, С.Б. Кущев, А.П. Плешков, С.И. Рембеза // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 27-31.
• Синтез, оптические свойства, пространственно-ограниченные и смешанные моды решеточных колебаний нанокристаллов CdS, синтезированных в пористом Al2O3. [Текст] / Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова // . — С. 65-70.
• Сложные алмазоподобные полупроводники [Текст] / Н.А. Горюнова. — М. : Советское радио, 1968. — 267 с.
• Сложные халькогениды и халькогалогениды : (Получение и свойства) [Текст] / под ред. Д. В. Чепура. — Львов : Вища шк.Изд-во при Львов. ун-те, 1983. — 181 с.
• Слоистое строение анодных пленок SiO2, легированных фосфором или бором [Текст] / Технологический институт Южного федерального университета, г.Таганрог, Россия // . — С. 12-15.
• Современное состояние технологии выращивания кристаллов твердых растворов германий-кремний. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 54-60.
• Современные методы усовершенствования полевых AlGaN/GaN-гетеротранзисторов [Текст] / А.Н. Ковалев // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 4-17.
• Современные полупроводниковые термочувствительные элементы [Текст] / К. Миронов, П. Миронова // . — С. 28-31.
• Соосаждение Fe и Si на поверхность SiO2/Si(001) [Текст] / Институт автоматики и процессов управления // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 41-47.
• Сорбция воды в полимерных нанокомпозитах: новая теоретическая модель [Текст] / Кабардино-Балкарский государственный университет. // Нанотехнологии. — М., 2011. — С. 35-38.
• Составные полупроводниковые термоэлементы на основе твердых растворов. [Текст] / ООО НПО "Кристалл" // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С.21-24.
• Состояние и проблемы ионно-плазменного травления нитридов элементов третьей группы и гетероструктур на их основе. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 4-15.
• Спектральна залежність фотоелектромагнітного ефекту в кристалах КРТ р-типу з областю просторового заряду [Текст] / С.Г. Гасанзаде, С.В. Старий, М.В. Стріха, Г.А. Шепельский // Доповіді Національної Академії наук України  : науково-теоретичний журнал / Президія НАН України. — С. 88-93.
• Спектры фотоЭДС промышленных пластин кремния [Текст] / Белорусский государственный университет, Беларусь // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 66-69.
• Спін електрона та електронно-діркова рекомбінація в напівпровідниках [Текст] : [ монографія] / Київ. нац. ун-т ім. Т. Шевченка. — К. : ВПЦ "Київськ.ун-т", 2001. — 175 с.
• Способ электродугового восстановления кремния [Текст] / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 60-61.
• Сравнительная характеристика зонных спектров периодических структур, образованных слоями различных материалов во внешнем магнитном поле [Текст] / Институт радиофизики и электроники им.А.Я.Усикова НАН Украины, г.Харьков // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 190-199.
• Сравнительные характеристики транзисторов BIMOSFET IGBTкомпании IXYS в схеме преобразователя с обратным регулированием [Текст] / Ю.А. Коваль // Радиокомпоненты. — 2005. — С. 17-19.
• Строение, механизм образования закиси меди и ее электрические свойства [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук / Ленинград. политехн. ин-т им. М.И.Калинина. — Львов, 1959. — 26 с.
• Структура и электрофизические свойства мультикристаллического кремния [Текст] / Б.А. Красин, А.И. Непомнящих, А.С. Токарев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — С.28-34.

1    2    3    4    5    6    7    8   9    10