Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники

Електронні напівпровідники

Документи:

• Структура и особенности образования трещин в кристаллах Cd1-xZnxTe (x?0,04), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации [Текст] / ОАО "Гиредмет" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 11-16.
• Структура и свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. [Текст] / Институт физики микроструктур РАН, Нижегородский государственный университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 27-30.
• Структура и фазовый состав монооксида кремния [Текст] / Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. Калашник та ін. // Известия вузов. Электроника. — 2011. — С. 3-8.
• Структура координатной системы контроля движущихся объектов. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 2006. — С. 82-84.
• Структура нанокластеров кремния в системе кремний - диоксид кремния [Текст] / С.-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 69-73.
• Структури кремній-на-ізоляторі для сенсорної електроніки [Текст] : моногр. / Мін-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львівська політехніка". — Львів : Вид-во Львівської політехніки, 2013. — 232 с.
• Структурные и морфологические свойства нитридов в системах AIN/GaN/AI(2)O(3) и GaN/AIN/AI(2)0(3) [Текст] / Московский государственный институт электронной техники. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 35-39.
• Твердые растворы Cd(1-y)Zn(y)Te - материал для подложек эпитаксиальных структур Hg (1-x) Cd(x)Te. [Текст] / ФГУП "Гиредмет" // . — С. 28-32.
• Температурна залежність ефективності генерації вакансій в n-Si при опроміненні електронами з енергією 1 МеВ [Текст] / А.Г. Колосюк, А.М. Крайчинський, М.М. Красько та ін. // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 867-872.
• Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x. [Текст] / Государственній педагогический университет, г.Баку, Азербайджан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 50-54.
• Температурные исследования фотолюминесценнции модулированно-легированных структур AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами [Текст] / Н.Г. Яременко, Г.Б. Галиев, М.В. Карачевцева // Радиотехника и электроника. — 2005. — С. 1184-1188.
• Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния [Текст] / Львовский Национальный университет "Львовская Политехника" // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 26-30.
• Теоретические и экспериментальные исследования физических свойств полупроводниковых материалов и других кристаллов [Текст] / АН Молд. ССР ; Ин-т прикладной физики. — Кишинев : Картя Молдовенеске, 1965. — 126 с.
• Тепловая модель реактора для получения поликремния водородным восстановлением SiHCI (3). [Текст] / ФГУП "Гиредмет" // . — С. 25-28.
• Тепловой режим тонкого цилиндрического стержня в коаксиальной цилиндрической полости [Текст] : отчет о НИР (промежуточ.) : 306-9/80 / ХАИ; рук. Островский Е.К.; исполн.: Малиновский Э.К., Бедняк Л.Г. — Х., 1982. — 47 с.
• Теплоэлектрические модели мощных биполярных полупроводниковых приборов [Текст] : Нелинейная модель светоизлучающих диодов / В.А. Сергеев, А.М. Ходаков // Радиотехника и электроника. — 2015. — С. 1254-1258.
• Теплоэлектрические модели мощных биполярных полупроводниковых приборов. I. Модель высокочастотного транзистора с дефектами [Текст] / В.А. Сергеев, А.М. Ходаков // . — С. 1097-1103.
• Термічний відпал радіаційних дефектів в n-Si, опроміненому швидкими нейтронами реактора [Текст] / Інститут ядерних досліджень НАН України // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 691-696.
• Термодинамика и материаловедение полупроводников [Текст] / под ред. Глазов В.М. — М. : Металлургия, 1992. — 392 с.
• Термооксидирование наноразмерных биметаллических полупроводниковых пленок [Текст] / Калужский факультет МГТУ им. Н. Э. Баумана, г. Калуга, Россия // . — С. 23-28.
• Термооптический контроль состояния поверхности кремния [Текст] / Н.Н. Герасименко, В.Ю. Троицкий, Ю.Н Пархоменко // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — С.57-60.
• Технические аспекты проектирования устройства для разработки варикапов по емкостным параметрам и добротности [Текст] / Херсонский национальный технический университет // Автоматика. Автоматизация. Электротехнические комплексы и системы : научно-технический журнал. — Херсон, 2008. — 2. — С. 99-104.
• Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов [Текст] : учеб. для вузов / Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. — 2-е изд., перераб. и доп. — М. : Высшая школа, 1990. — 423 с.
• Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов [Текст] : учеб. для вузов / Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. — М. : Высшая школа, 1983. — 272 с.
• Технология полупроводниковых материалов [Текст] : пер. с англ. / под ред. Иглицина М. И. — М. : Оборонгиз, 1961. — 314 с.
• Технології формування функціональних шарів виробів електронної техніки та обладнання для їх реалізації [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / МОНС України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. — Кременчук, 2013. — 21 с.
• Технологія одержання великогабаритних кремнієвих заготівок для оптико-електронних систем [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Кременчуц. ун-т економіки. — Кременчук, 2009. — 20 с.
• Технологія одержання кремнієвих приладових структур підвищеної якості з використанням високоенергетичних джерел випромінювання і відновлюваних термообробок [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / М-во освіти і науки України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. — Кременчук, 2014. — 20 с.
• Транспорт носителей заряда, спектральный фотоотклик и особенности зонной структуры Вpnn+-GaAs с наноразмерным As2o3-GaAs паттерн - интерфейсом [Текст] / Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева, П.С. Смертенко, Г.А. Сукач // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 480-488.
• Улавливание и утилизация пылей и газов [Текст] : учеб. пособие для вузов / С.И. Денисов. — М. : Металургия, 1991. — 320 с.
• Умови отримання максимуму коефіцієнтаа термоелектричної потужності в інтерметалічних напівпровідниках ZrNiSn та TiCoSb [Текст] / В.А. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко та ін. // Український фізичний журнал. — 2006. — С. 972-978.
• Усиление и генерация акустических волн в полупроводниках при наличии магнитного поля [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.290 - теоретические основы радиотехники / Моск. физ.-техн. ин-т. — М., 1972. — 17 с.
• Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных гамма-квантов [Текст] / Н.М. Вакив, Р.Я. Головчак, А.П. Ковальский, О.И. Шпотюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 60-61.
• Успехи и проблемы создания полевых гетеротранзисторов на основе материалов АІІІ ВV [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — C.4-13.
• Установка для исследования электрических, фотоэлектрических и шумовых свойств приемников излучения [Текст] / С.П. Гаплевская, В.Г. Демченко, Л.С. Завертанная та ін. // Радиоэлектроника летательных аппаратов : темат. сб. науч. тр. / Харьк. авиац. ин-т. — Харьков, 1976. — С. 29-33.
• Установка для термодиффузионного синтеза многокомпонентных полупроводниковых соединений [Текст] / Т.М. Гаджиев, С.Н. Каллаев, Р.М. Гаджиева та ін. // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 146-151.
• Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников [Текст] / А.А. Ащеулов, И.А. Бучковский, И.С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 55-57.
• Физико-технические основы радиационных методов обработки полупроводниковых приборов и микросхем. [Текст] / Е.А. Ладыгин // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 31-41.
• Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников [Текст] / под ред. Б. Д. Луфт. — М. : Радио и связь, 1982. — 137 с.
• Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных и наноструктурированных полупроводников [Текст] / С.П. Вихров, Н.В. Бодягин, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин // Радиотехника. — 2012. — С. 81-88.
• Фізичні методи підвищення ефективності проникних термоелементів [Текст] : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.01 "Фізика приладів, елементів і систем" / НАН України, МОНМС України, Ін-т термоелектрики. — Чернівці, 2013. — 40 с.
• Фізичні методи та прилади для визначення термоелектричних властивостей матеріалів [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01 "Фізика приладів, елементів і систем" / НАН України, МОНМС України, Ін-т термоелектрики. — Чернівці, 2013. — 20 с.
• Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 С в интервале длин волн 2,7-3,7 мкм [Текст] / Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 36-38.
• Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров гетероэпитаксиальных структур Cd(x)Hd(1-x)Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. [Текст] / Томский государственный университет ИФП СО РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 54-59.
• Формирование бидоменной структуры в пластинах монокристалла ниобата лития электротермическим методом [Текст] / ФГОУ ВПО "Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" // . — С. 18-22.
• Формирование нанокластеров кремния в структуре кремний/диоксид кремния [Текст] / А.М. Скворцов, В.В. Плотников, В.И. Соколов // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 62-67.
• Формирование регулярного массива нанокластеров кремния методом проекционного лазерного облучения [Текст] / А.М. Скворцов, В.А. Чуйко, Зуй Ле, Куанг Фам // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 69-74.
• Формування і властивості твердофазних ієрархічних структур "господар-гість" для пристроїв молекулярної енергетики і наноелектроніки [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07- фізика твердого тіла / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Нац. ун-т "Львівська політехніка". — Львів, 2011. — 20 с.
• Фотоэлекретное состояние без внешнего поляризующего поля в термообработанных пленках кремния [Текст] / Ферганский политехнический университет, Узбекистан // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 1175-1177.
• Фотоэлектрические свойства кристаллов твердого раствора сульфид цинка- селенид цинка в постоянных и переменных электрических полях [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 "Физическая электроника, в том числе квантовая" / Харьк. гос. ун-т. — Харьков, 1986. — 23 с.

1    2    3    4    5    6    7    8    9   10