Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Напівпровідникові пристрої

Напівпровідникові діоди

Підтеми:

• Точкові діоди
• Площинні діоди
• Точкові діоди
• Площинні діоди

Документи:

• 60 лет создания транзистора. Начало применения полупроводников [Текст] / В. Меркулов // . — С. 5-7.
• Автономные тиристорные инверторы [Текст] / под ред. М.Г. Чиликина. — М.; Л. : Энергия, 1967. — 160 с.
• Быстродействующие полупроводниковые переключатели [Текст] / В.Е. Вершин. — М. ; Л. : Энергия, 1965. — 103 с.
• Варакторные умножители частоты [Текст] / Б.Н. Красноголовый, Л.Г. Плавский. — Минск : БГУ, 1979. — 288 с.
• Варизонные InP1-x(z)Asx(z) диоды Ганна с различными катодными контактами [Текст] / И.П. Строженко // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 421-429.
• Варизонный AlGaInAs-диод Ганна [Текст] / И.П. Стороженко, М.В. Кайдаш // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 52-57.
• Введение в полупроводниковую электронику [Текст] : пер. с англ. / под ред. Федорова Я. А. — М. : Связь, 1965. — 456 с.
• Вимірювання фотометричних характеристик світлодіодів [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.09.07 "Світлотехніка та джерела світла" / М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т міськ. госп. ім. О. М. Бекетова. — Харків, 2015. — 20 с.
• Влияние параметров прикатодной области в диоде с катодным статическим доменом на порог генерации СВЧ-шума [Текст] / Харьковский национальный университет им.В.Н.Каразина, г.Харьков, Украина // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 91-95.
• Влияние температуры на фотоэлектрическую память закиси меди [Текст] / С.П. Гаплевская, А.Л. Рвачев // Радиоэлектроника летательных аппаратов : научно-технич. сб. / ХАИ. — Х. : ХАИ, 1973. — С. 18-24.
• Влияние толщины варизонного слоя на энергетические и частотные характеристики диодов Ганна [Текст] / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиотехника и электроника. — 2006. — С. 371-378.
• Волноводные фотонные кристаллы с характеристиками, управляемыми p–i–n- диодами [Текст] / Саратовский государственный университет им. Н.Г.Чернышевского, г.Саратов, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2010. — С. 24-29.
• Выбор источника питания для работы со светодиодами [Текст] // . — С. 44-47.
• Выбор оптимального драйвера светодиодной системы. Часть 2 [Текст] / ИД "Электроника", Россия // . — С. 64-69.
• Газочувствительные структуры "силицид кобальта-пористый кремний-кремний" [Текст] / И.В. Белоусов, Е.В. Бузанева, Г.В. Кузнецов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 34-36.
• Генератор на лавинно-пролетном диоде миллиметрового диапазона [Текст] / Технологический институт Южного федерального университета в Таганроге, Россия // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 58-59.
• Генераторы на лавинно-пролетных диодах при внешнем воздействии субгармонического сигнала [Текст] / Л.В. Касаткин, С.Б. Мальцев // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2006. — С. 38-53.
• Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах [Текст] / Харьковский национальный университет им. В.Н.Каразина, г.Харьков, Украина // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 212-217.
• Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs [Текст] / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 91-96.
• Деградация светоизлучающих диодов на основе гетероструктур AIGaInN под действием ультразвука. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // . — С. 58-60.
• Детекторы гамма-излучений на основе GaAS для исследования наноструктур [Текст] / О.П. Толбанов, Р.И. Толбанова // Контроль.Диагностика : журнал Российского общества по неразрушающему контролю и технической диагностике (РОНКТД). — М. : Машиностроение, 2011. — С. 63-70.
• Диодные генераторы и усилители СВЧ [Текст] / Н.С. Давыдова, Ю.З. Данюшевский. — Москва : Радио и связь, 1986. — 184 с.
• Диоды Ганна на основе варизонного AlGaAs с различными катодными контактами [Текст] / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия : научный журнал. — Х., 2006. — 2. — С. 186-197.
• Диоды Ганна на основе варизонных InBN И GaBN [Текст] / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 77-81.
• Диоды и тиристоры [Текст] / под ред. А.А. Чернышева. — 2-е изд., перераб. и доп. — М. : Энергия, 1980. — 176 с.
• Диоды и тиристоры [Текст] / под ред. А. А. Чернышева. — М. : Энергия, 1975. — 198 с.
• Диоды и тиристоры [Текст] / под ред. А.А. Чернышева. — М. : Энергия, 1976. — 200 с.
• Диоды и тиристоры [Текст] : справочник / под общ. ред. А. А. Чернышева. — изд. 2-е, перераб. и доп. — М. : Энергия, 1980. — 176 с.
• Диоды [Текст] : Справочник / О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев. — М. : Радио и связь, 1990. — 336 с.
• Диоды Шоттки: технология совершенствуется [Текст] / С. Дэвис // Электронные компоненты. — М. : ЗАО "КОМПЭЛ", 2011. — С. 43-45.
• Драйверы светодиодов компании Mean Well [Текст] / Г. Местечкина // Электронные компоненты и системы. — 2010. — №4. — С. 44-49.
• Экспериментальное исследование выгорания сверхвысокочастотных биполярных транзисторов при воздействии последовательности электрических импульсов [Текст] / А.А. Сасункевич, Л.Н. Сорокин, В.Г. Усыченко // Радиотехника и электроника. — 2016. — С. 702-710.
• Электрическое моделирование полярографического датчика [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / Казан. авиац. ин-т. — Казань, 1967. — 12 с.
• Электровакуумные и полупрводниковые приборы [Текст] : учебное пособие для кинотехникумов / П.Н. Ухин, Е.О. Федосеева. — М. : Искусство, 1968. — 192 с.
• Элементная база радиоэлектроники [Текст] : учеб. пособие / М-во образования и науки Украины, Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т". — Х. : Нац. аэрокосм. ун-т им. Н. Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т", 2002. — 88 с.
• Эмулятор GPS приемника как источник точного времени [Текст] / М.Е. Шкарбалюк, С.В. Пильгаев, А.В. Ларченко та ін. // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 110-115.
• Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами [Текст] / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 579-583.
• Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич" - варианте [Текст] / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко, И.П. Стороженко // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 72-78.
• Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей [Текст] / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 71-75.
• Задержка переключения лавинных S диодов в схеме с оптическим запуском [Текст] / О.П. Толбанов, С.С .Хлудков, К.М. Дегтяренко // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 80-82.
• Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульса ударного тока [Текст] / С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, Р.Б. Солтис, И.Ю. Тищенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 33-35.
• Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs [Текст] / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 86-90.
• Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами [Текст] / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 54-57.
• Инжекционно-полевой фотодиод [Текст] / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2006. — С. 76-80.
• Инжекционные фотодиоды на основе низкоомных монокристаллов ZnS [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 2008. — С. 17-21.
• Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах [Текст] / Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Украина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 23-27.
• Использование pin-диодов в широкополосных управляемых аттенюаторах [Текст] / В. Макаренко // Электронные компоненты и системы. — 2012. — С. 38-44.
• Испытания силовых полупроводниковых приборов [Текст] / О.Г. Чебовский, Л.Г. Моисеев. — М. : Энергоиздат, 1981. — 200 с.
• Исследование автоматизированных электроприводов, электрических машин и вентильных преобразователей [Текст] : тематич. сб. науч. трудов / ЧПИ; под ред. В.А. Лифанова., С.Д. Левинтова. — Челябинск : ЧПИ, 1983. — 127 с.
• Исследование амплитудных радиоимпульсных двоичных элементов на туннельных диодах [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / МАИ им. С.Орджоникидзе. — М., 1966. — 13 с.

1   2    3    4    5