Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• В діелектриках

В напівпровідникових матеріалах

Документи:

• Автоэлектронная эмиссия пролупроводников [Текст] : пер. с нем. с дополнит. обзором : Новое в исследовании автоэлектронной эмиссии / под общ. ред. И.Л. Сокольской. — М. : Наука, 1971. — 215 с.
• Аморфные и поликристаллические полупроводники [Текст] : пер. с нем. / под ред. В. Хейванга. — М. : Мир, 1987. — 160 с.
• Атомная диффузия в полупроводниках [Текст] / под ред. Д. Шоу. — М. : Мир, 1975. — 684 с.
• Быстродействующий прибор для контроля угловой зависимости коэффициента отражения лазерного луча [Текст] / Северо-западный заочный технический университет. // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. / МО РФ, СПб ГУИТМО. — С. 61-64.
• Варизонные полупроводники [Текст] / под ред. Г.П. Пеки. — К. : Вища школа, 1989. — 250 с.
• Введение в теорию полупроводников [Текст] : Учеб. пособие / А.И. Ансельм. — М. ; Л. : Физматгиз, 1962. — 418 с.
• Введение в физику полупроводников [Текст] / АН СССР. — Л. : Наука, 1969. — 202 с.
• Введение в физику полупроводников [Текст] : пер. с англ. / под. ред. В.Л. Бонч-Бруевича. — М. : Иниздат, 1959. — 430 с.
• Введение в физику полупроводников [Текст] : учеб. пособие для студентов вузов / В.И. Фистуль. — М. : Высшая школа, 1975. — 296 с.
• Введение в физику полупроводников [Текст] : учеб. пособие / В.И. Фистуль. — 2-е изд., перераб. и доп. — М. : Высшая школа, 1975. — 296 с.
• Введение в физику полупроводников [Текст] : учеб. пособие / В.И. Фистуль. — 2-е изд., перераб. и доп. — М. : Высшая школа, 1984. — 352 с.
• Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников [Текст] : учеб. пособие / под ред. В.М. Глазова. — 3-е изд., испр. и доп. — М. : Высшая школа, 1982. — 528 с.
• Визначення функціональної придатності кристалів СdZnTe для використання в радіоелектронній апаратурі на основі методу скануючої фотодіелектричної спектроскопії [Текст] : пояснюв. зап. до диплом. проекту (роботи) магістра : 8.05090201 - радіоелектрон. апарати та засоби : (робота викон. на рос. мові) / Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т", Ф-т радіотехн. систем літ. апаратів, Каф. вир-ва радіоелектрон. систем літ. апаратів (№ 502) ; кер. Олійник В. П. — Х., 2013. — 94 с.
• Влияние перехода пленка-подложка на прцессы токопереноса в тонкопленочных структурах GaFs [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 "Физика полупроводников и диэлектриков" / Н.Б. Горев. — Харьков, 1989. — 16 с.
• Внешний фотоэффект с полупроводников и диэлектриков [Текст] / А.Н. АрсеньеваГейль. — М. : Гостехиздат, 1957. — 222 с.
• Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами [Текст] / А.А. Барыбин. — М. : Наука, 1986. — 288 с.
• Вопросы теории коллективных явлений в электронно-дырочной плазме полупроводников [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 - физика и химия плазмы / ХГУ им. А.М.Горького. — Х., 1973. — 28 с.
• Восьмизондовый метод совместных измерений электропроводимости икоэффициента Холла анизотропных полупроводниковых пленок. [Текст] / Липецкий государственный педагогический университет. // . — С. 81-87.
• Вплив дефектів структури на електрофізичні та сцинтиляційні характеристики кристалів твердих розчинів ZnSe-ZnTe I CdTe-ZnTe [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 - матеріалознавство / НАНУ, Ін-т монокристалів. — Х., 2008. — 20 с.
• Вплив технології осадження та структури плівок ZnO на їх фото- та катодолюмінесценцію [Текст] / Інститут фізики НАН України, Київ // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 868-874.
• Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками [Текст] / Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. — М. : Наука, 1989. — 286 с.
• Вычисление кинетических коэффициентов для полупроводников [Текст] / АН СССР. Физико-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе. — Л. : Наука, 1977. — 169 с.
• Диффузия в полупроводниках [Текст] / Б.И. Болтакс. — М. : Физматгиз, 1961. — 462 с.
• Экспериментальное исследование кинетических и детектирующих свойств структур на основе дисперсных конденсатов металлов [Текст] : отчет о НИР (заключ.) : СВ501-23/86 / ХАИ ; рук. Удовенко А.А. ; исполн.: Удовенко А.А., Косец М.М. — Х., 1987. — 63 с.
• Электромагнитные явления СВЧ диапазона в неоднородных полупроводниковых структурах [Текст] / отв. ред. Ф.Г. Басс ; АН УССР, Ин-т радиофизики и электрон. — К. : Наукова думка, 1991. — 215 с.
• Електронна енергетична структура кристалів AlN, GaN та InN, розрахована в змішаному базисі одночастинкових станів [Текст] / Національний університет "Львівська політехніка" // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 547-551.
• Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда [Текст] / отв. ред. А.В. Ржанов. — Новосибирск : Наука, 1984. — 235 с.
• Электронные процессы на поверхности полупроводников [Текст] / А.В. Ржанов. — М. : Наука, 1971. — 480 с. + черт.
• Электронные свойства двумерных систем [Текст] : пер. с англ. / Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. — М. : Мир, 1985. — 416 с.
• Электронные явления на поверхности полупроводников [Текст] / под общ. ред. В.И. Ляшенко. — К. : Наукова думка, 1968. — 400 с. + черт.
• Электронный спиновой резонанс в полупроводниках [Текст] : сб. статей : пер. с англ. / под ред. Н.А. Пенина. — М. : Иниздат, 1962. — 380 с.
• Электроны и дырки в полупроводниках. Энергетический спектр и динамика [Текст] / И.М. Цидильковский. — М. : Наука, 1972. — 640 с.
• Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках [Текст] / Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. — М. : Наука, 1984. — 288 с.
• Электрофизические свойства многослойных структур типа МДП с полупроводниковыми слоями критической толщины [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков / Моск. ин-т стали и сплавов. — М., 1981. — 22 с.
• Элементарные атомные процессы и электронная структура дефектов в полупроводниках [Текст] / отв. ред. П.К. Хабибуллаев ; АН УзССР, Ин-т ядерной физики. — Ташкент : Фан, 1986. — 176 с.
• Жидкие полупроводники [Текст] : пер. с англ. / под ред. А.А. Андреева, В.А. Алексеева. — М. : Мир, 1980. — 256 с.
• Зонная структура полупроводников [Текст] / И.М. Цидильковский. — М. : Наука, 1978. — 328 с.
• Излучательная рекомбинация в полупроводниках [Текст] : сб. статей / под ред. Я.Е. Покровского. — М. : Наука, 1972. — 304 с. + черт.
• Инжекционно-контактные явления в полупроводниках [Текст] / А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. — К. : Наукова думка, 1981. — 256 с.
• Использование параметрической оптимизации при проектировании библиотечных элементов СБИС и специализированных интерфейсов наноэлектронных устройств [Текст] / Московский государственный институт электронной техники, г.Москва, Россия // . — С. 42-47.
• Исследование влияния внешних условий на электрические свойства интерфейса полимер/полимер [Текст] / Р.М. Гадиев, Р.Г. Рахмеев, А.Н. Лачинов та ін. // . — С. 75-78.
• Исследование электрофизических и структурных свойств эпитаксиальных пленок GaAs [Текст] : отчет о НИР (заключ.) : 306-150/78 / ХАИ; рук. Рвачев А.Л.; исполн.: Мигаль В.П., Глущенко Н.И., Лещенко Н.Е., Чугай О.Н. — Х., 1978. — 81 с.
• Исследование распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна [Текст] / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, В.Ю. Кваско // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2013. — С. 25-32.
• Исследование ультразвуковой сварки проводниковых материалов токоведущих узлов при проризводстве электрическаих машин и аппаратов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 19.921 / Харьков. высшее командно-инж. училище. — Х., 1970. — 22 с.
• Исследования полупроводниковых соединений сложного состава и Р-П переходов на их основе [Текст] : межвуз. сб. науч. трудов / Калмытцкий ун-т. — М. : Элиста, 1980. — 85 с.
• Контактные явления в полупроводниках [Текст] : учеб. пособие / В.И. Стриха. — К. : Вища школа, 1982. — 223 с.
• Люминесценция полупроводников [Текст] : учеб. пособие для вузов / В.В. Сердюк, Ю.Ф. Ваксман. — К. ; Одесса : Вища школа, 1988. — 198 с.
• Материаловедение полупроводников и диэлектриков [Текст] : учеб. для вузов / С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. — М. : Металлургия, 1988. — 574 с.
• Методика определения компонент тензора удельной электропроводности анизотропных полупроводниковых пленок [Текст] / Липецкий государственный педагогический университет, Россия, 398020, // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 150-153.
• Методика определения удельной электропроводности и подвижности носителей заряда в слоистых полупроводниковых материалах [Текст] / Липецкий государственный педагогический университет // Приборы и техника эксперимента  : научный журнал / РАН. — С. 136-139.

1   2    3