Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Провідники та напівпровідники залежно від матеріалу виготовлення

Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники

Підтеми:

• Електронні напівпровідники

Документи:

• Авиационное электрорадиоматериаловедение [Текст] : учеб. для вузов / под ред. В.И. Просвирина. — М. : Машиностроение, 1972. — 356 с.
• Авиационное электрорадиоматериаловедение [Текст] : учеб. пособие по лаб. практикуму / М-во образования Украины, Харьк. авиац. ин-т им. Н. Е. Жуковского. — Х. : ХАИ, 1993. — 87 с.
• Авиационное электрорадоиматериаловедение [Текст] : Проводниковые и магнитные материалы. Физика диэлектриков: конспект лекций / М-во высш. и сред. спец. образования СССР, Харьк. авиац. ин-т. — Х. : ХАИ, 1977. — 124 с.
• Авіаційне електрорадіоматеріалознавство [Текст] : навч. посіб. / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". — Х. : Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т", 2016. — 84 с.
• Вдосконалення технології вирощування злитків напівізолюючого арсеніду галію великого діаметру [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / М-во освіти і науки України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. — Кременчук, 2015. — 24 с.
• Влияние кремния на процесс радиационного дефектообразования в твердых растворах германий-кремний n-типа проводимости [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 37-43.
• Вольт-амперные характеристики диодов на основе слоев Hg0,78 Cd0,22 Te, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, г.Новосибирск // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 39-46.
• Вплив дефектів на неоднорідність випромінювальних характеристик і механічних напружень в монокристалах арсеніду галію [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 "Фізика твердого тіла" / НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. — Київ, 1997. — 19 с.
• Дебаевская длина экранирования электрического поля в полупроводниках с различными примесными уровнями [Текст] / В.И. Мурыгин, В.В. Лосев, В.Б. Гундырев // Известия высших учебных заведений, Электроника : научно-технический журнал. — М., 2004. — 1. — С.43-48.
• Диэлектрическая изоляция для быстродействующих биполярных интегральных схем [Текст] / ГУП НПП "Пульсар" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 62-67.
• Дослідження фотолюмінесценції і електропровідності ZnTe, вирощеного в атмосфері водню [Текст] / Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 378-381.
• Электрические и оптические свойства полупроводников [Текст] / Ин-т физики. Дагестанский филиал АН СССР. — Махачкала : Б. и., 1980. — 162 с.
• Электропитание спецаппаратуры [Текст] : учеб. для вузов / Г.С. Векслер. — 2-е изд, перераб. и доп. — К. : Вища школа, 1979. — 368 с.
• Электропитание спецаппаратуры [Текст] : учеб. для вузов / Г.С. Векслер. — К. : Вища школа, 1975. — 376 с.
• Електрофізичні властивості напівпровідникових гетероструктур з шарами квантових точок та квантових ям [Текст] : автореф. дис. ... д-ра фіз. - мат. наук : 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Київ. нац. ун-т ім. Т. Шевченка. — К., 2012. — 36 с.
• Исследование и разработка устройств с полупроводниковыми термочувствительными элементами для оценки концентрации пахучих веществ по тепловому эффекту сорбции [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.253 - приборы и устройства автоматики и телемеханики / Казанский авиац. ин-т им. А.Н.Туполева. — Казань, 1974. — 23 с.
• Исследование особенностей поведения примеси железа в кремнии в процессе низкотемпературного отжига [Текст] / Московская Государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 34-37.
• Квантовомеханическая модель быстрого нагрева проводника электрическим током проводимости большой плотности [Текст] / М.И. Баранов // Электротехника  : Научно-технический журнал / Академия Электротехнических наук РФ. — С. 38-44.
• Компьютерное моделирование преципитации SiO2 в кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном азотом [Текст] / Инстиут физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 44-48.
• Материаловедческие и технологические аспекты получения макропористого кремния [Текст] / Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 58-61.
• Методи та апаратура контролю структурно-геомертичної досконалості напівпровідникових матеріалів та структур в умовах їх серійного виробництва [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Кременчуц. ін-т економіки та нових технологій. — Харків, 2002. — 34 с.
• Методы и аппаратура контроля структурно-геометрического совершенства полупроводниковых материалов и структур в условиях их серийного производства [Текст] : дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 "Технология, оборудование и производство электронной техники" / Ин-т экономики и новых технологий. — Кременчуг, 2002. — 296 с.
• Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. пособие / Л.П. Павлов. — М. : Высшая школа, 1975. — 206 с.
• Механизм влагочувствительности адсорбционно-емкостных сенсоров влажности на основе сорбционных пленок в системе SiO2 - Al2O3 [Текст] / Московский государственный институт электронной техники (технический университет) // Известия вузов. Электроника. — 2003. — C. 36-42.
• Об идентичности процессов дефектообразования в малогабаритных монокристаллах FZ-Si и CZ-Si [Текст] / Запорожская государственная инженерная академия // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 30-34.
• Обработка полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. пособие для сред. ПТУ / В.П. Запорожский, Б.А. Лапшинов. — М. : Высшая школа, 1988. — 181 с.
• Обратный ток p-n-переходов с полевым электродом на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe/GaAs [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 89-97.
• Основная элементная база преобразовательной техники [Текст] / ФГУП ВЭИ // . — С. 7-15.
• Особенности адмиттанса МДП-структур на основе слоев КРТ, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 83-88.
• Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si(001), имплантированных ионами неона различных энергий. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 49-51.
• Полупроводники [Текст] / Дмитрий Наследов. — Москва : Знание, 1959. — 45 с.
• Полупроводниковые выпрямители [Текст] / О-во по распространению полит. и науч. знаний РСФСР, Ленингр. дом науч. - техн. пропаганды, Ин-т полупроводников Акад. наук СССР. — Л. : ЛДНТП, 1957. — 96 с.
• Полупроводниковые термоэлектрохолодильники [Текст] / О-во по распространению полит. и науч. знаний РСФСР, Ленингр. дом науч.-техн. пропаганды, Акад. наук СССР, Ин-т полупроводников. — Л., 1957. — 100 с.
• Про взаємодію атомів водню із складними дефектами в CdTe I ZnTe [Текст] / Д.І. Цюцюра, Д.В. Корбутяк, О.М. Пігур та ін. // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 1166-1170.
• Солнечная энергетика: современное состояние и перспективы развития [Текст] / ФГУП НПП "КВАНТ" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 15-19.
• Теоретичні й експериментальні дослідження фізико-технічних властивостей напівпровідникових і діелектричних матеріалів [Текст] : звіт про НДР (заключ.): Г505-27/00 / Нац. аєрокосмічний ун-т "ХАІ" ; кер. Мигаль В.П. — Х., 2002. — 42 с.
• Термочувствительные сегнетоэлектрики SrA0,5Nb0,5O3 (A= Fe, In, Co, Mn) [Текст] / Московская государственная академия тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова // . — С. 45-47.
• Удосконалення технології вирощування зливків кремнію з рівномірним розподілом кисню [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / Кременчуцький ін-т економіки та нових технологій. — Харків, 2003. — 19 с.
• Усовершенствование технологии выращивания слитков кремния с равномерным распределением кислорода [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технология, оборудование и производство электронной техники" / МОН Украины, Ин-т экономики и новых технологий. — Кременчуг, 2003. — 232 с.
• Формирование высоколегированных р+ -областей Ga As с использованием метода импульсного фотонного отжига. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники ( технический университет) // . — С. 3-6.
• Фотоструктурні перетворення та деградаційні процеси у фоточутливих аморфних напівпровідниках [Текст] : автореф. дис. канд. техн. наук: 05.12.20 - оптоелектронні системи / Укр. держ. академія зв'язку ім. О.С.Попова. — Одеса, 1998. — 12 с.
• Energy of the interaction of a charge with separation boundaries of a multilayer spherical quantum dot [Текст] / V.I. Boichuk, R.Yu. Kubay, I.S. Shevchuk // Український фізичний журнал. — 2007. — С. 991-997.