Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Зародження, ріст та розчинення кристалів

Монокристали. Монокристальне утворення

Документи:

• Автоматизація управління технологічними процесами виробництва об'ємних Cz-Si-монокристалів [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.13.07 "Автоматизація процесів керування" / Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". — Київ, 2009. — 39 с.
• Введение в радиоспектроскопию парамагнитных монокристаллов [Текст] / Л.А. Сорин, М.В. Власова, В.Д. Левандровский. — К. : Наукова думка, 1969. — 256 с.
• Вирощування монокристалів потрійних сполук CuIn5X8 (X-S, Se, Te), дослідження фізико-хімічних і фізичних властивостей та встановлення критеріїв їх якості [Текст] : звіт про НДР (заключ.) : Ф41.3/11 / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т" ; кер. Мигаль В. : викон. : Фомін О., Бут А. — Х., 2011. — 45 с.
• Вирощування монокристалів потрійних сполук CuIn5X8 (X-S, Se, Te), дослідження фізико-хімічних і фізичних властивостей та встановлення критеріїв їх якості [Текст] : звіт про НДР (проміжний) : Ф41.3/11 / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т" ; кер. Мигаль В. : викон. : Фомін О., Бут А. — Х., 2011. — 36 с.
• Вирощування та комплексне дослідження варізонних структур на основі халькогенідів цинку, що перспективні для лазерної і оптоелектронної техніки [Текст] : звіт про НДР (заключ.) : Ф54.2/21 / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т" ; кер. Мигаль В. : викон. : Клименко А., Бут А. — Х., 2013. — 45 с.
• Вирощування та комплексне дослідження варізонних структур на основі халькогенідів цинку, що перспективні для лазерної і оптоелектронної техніки [Текст] : звіт про НДР (проміж.) : Ф54.2/21 / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т" ; кер. Мигаль В. : викон. Фомін О., Клименко І., Бут А. — Х., 2013. — 32 с.
• Вирощування Ті-сапфіра у вуглецевому середовищі для перенастроюваних по частоті лазерів [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.02.01 - матеріалознавство / Нац. акад. наук України, Ін-т монокристалів. — Х., 2012. — 36 с.
• Вирощування Ті-сапфіра у вуглецефому середовищі для перенастроюваних по частоті лазерів [Текст] : автореф. дис. .... 05.02.01 "Матеріалознавство" / НАН України, Ін-т монокристалів. — Харків, 2012. — 36 с.
• Влияние восстановительного отжига на термолюминесцентные и рентгенолюминесцентные свойства монокристаллов Li2B4O7: Ag+* [Текст] / Институт электронной физики НАН Украины // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 51-56.
• Влияние кристаллографической ориентации на трибологические характеристики монокристаллов корунда [Текст] / НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины, СКТБ "ФТИНТ" НАН Украины, Институт патологии позвоночника и суставов им. проф. М.И. Ситенко // . — С, 16-19.
• Влияние обработки поверхности на лазерный пробой оптически прозрачных сред [Текст] / В.Т. Сотников, С.С. Добротворский // Источники и ускорители плазмы : межвуз. темат. сб. науч. тр. / ХАИ. — Харьков : ХАИ, 1982. — С. 132-138.
• Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на образование дислокаций несоответствия [Текст] / Р.Х. Акчурин, В.П. Дураев, А.А. Малджы та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 18-22.
• Выращивание и физико-механические свойства монокристаллов SrB4O7: Eu2+ [Текст] / Институт монокристаллов НАН Украины // . — С. 43-48.
• Даігностичні параметри втоми монокристалів [Текст] / М.В. Карускевич, О.Ю. Корчук // Авиационно-космическая техника и технология : Научно-технический журнал. — Х. : Нац. аэрокосмический ун-т "ХАИ", 2005. — С. 79-83.
• Диагностика качества элементов кристаллической оптики по спектрам собственных упругих колебаний [Текст] / И.А. Клименко // Авиационно-космическая техника и технология : труды Государственного аэрокосмического университета "ХАИ". — Х. : Гос. аэрокосмический ун-т "ХАИ", 2000. — С. 231-234.
• Диэлектрические и акустические свойства монокристаллов SBN в широком диапазоне температур [Текст] / Институт общей физики РАН; // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 48-50.
• Диссипативные состояния и нелинейные эффекты в неоднородных сверхпроводниках [Текст] / НАН Украины, НТК "Институт монокристаллов". — Харьков : Ин-т монокристаллов, 2006. — 392 с.
• Электронные спектры и энергетические уровни иона Er3+ в монокристаллах перрената эрбия [Текст] / Н.А. Орлин, В.А. Кузурман // Биомедицинские технологии и радиоэлектроника. — 2004. — С. 85-88.
• Жидкокристаллические эмульсии: новые материалы для дисплейных и недисплейных приложений [Текст] / Московская государственная академия приборостроения и информатики // . — С. 53-56.
• Изучение закономерностей роста некоторых автоэпитаксиальных конденсированных слоев [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / ХПИ. — Х., 1967. — 27 с.
• Использование тонких полипараксилиленовых пленок при исследовании пластической деформации монокристаллов висмута [Текст] / Гомельский государственный технический университет им.П.О.Сухого, Гомель, Беларусь // Прикладная механика и техническая физика. — Новосибирск : РАН, 2006. — С. 162-166.
• Исследование плотности дислокаций в монокристаллах твердых растворов сурьма-висмут. [Текст] / Восточно-украинский национальный университет им. В. Даля. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 68-71.
• Інноваційна привабливість структурно досконалих монокристалів алмазу для іх цілеспрямованого використання в новітніх технологіях XXI сторіччя [Текст] / М.В. Новіков, В.В. Лисаковський, О.О. Заневський, С.О. Івахненко // Наука та інновації : український оглядовий журнал майбутнього: науково-практичний журнал. — К., 2015. — С. 49-52.
• Інформаційно-екстремальний алгоритм унімодального класифікатора для оцінки діаметру монокристала, що вирощується [Текст] / А.C. Довбиш, В.В. Москаленко // Радіоелектронні і комп'ютерні системи. — 2012. — С. 114-119.
• Контроль качества ветвей термоэсурьмалементов на основе твердых растворов висмут-сурьма [Текст] / О.И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика : Научно-технический и производственный журнал. — М. : Научтехлитиздат, 2007. — С. 61-63.
• Контроль концентрации донорной примеси в n-ветви термоэлемента на основе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма [Текст] / Орловский государственный университет, Россия // . — С. 39-42.
• Контроль состава ветвей термоэлементов на основе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма [Текст] / О.И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика : Научно-технический и производственный журнал. — М. : Научтехлитиздат, 2008. — С. 44-46.
• Кристаллические материалы для оптики и электроники [Текст] / Нац. акад. наук Украины, НТК "Ин-т монокристаллов" ; под ред. В. М. Пузикова. — Х., 2012. — 544 с.
• Кристаллические материалы для фотоники [Текст] / Нац. акад. наук Украины, НТК "Ин-т монокристаллов" ; под ред. В. М. Пузикова. — Х. : НТК "Ин-т монокристаллов", 2008. — 376 с.
• Методи класифікації функціонального стану технологічного процесу в автоматизованій системі керування вирощуванням монокристалів [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.07 "Автоматизація процесів керування" / М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун- радіоелектроніки. — Харків, 2015. — 20 с.
• Методи класифікації функціонального стану технологічного процесу в автоматизованій системі керування вирощуванням монокристалів [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.13.07 "Автоматизація процесів керування" / М-во освіти і науки України, Сум. держ. ун-т. — Суми, 2015. — 179 с.
• Методи, моделі та інформаційні технології моніторингу і оптимізації процесу вирощування монокристалів напівпровідників [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.13.06 - інформ. технології / М-во освіти і науки України, Харк. нац. ун-т радіоелектроніки. — Х., 2015. — 39 с.
• Микроструктура и взаимодействие оптических центров в кристалле 2SiO5:Pr3+ [Текст] / В.П. Семиноженко, П.Н. Жмурин, Ю.В. Малюкин // . — С. 163-168.
• Міцність сапфіру при екстремальних навантаженнях [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 - матеріалознавство / Нац акад. наук України, Ін-т монокристалів. — Х., 2012. — 18 с.
• Модель специализированной системы поддержки принятия решений для коррекции процесса выращивания монокристалов [Текст] / В.М. Левыкин, И.В. Шевченко // Управляющие системы и машины  : междунар. научный журнал / НАН Украины. Междунар.науч.-учеб.центр информ.технологий и систем. Ин-т киберн.им.В.М.Глушкова. — С. 32-38.
• Моногокристаллические пленки высокотемпературных сверхпроводников для СВЧ-электроники [Текст] / М.С. Афанасьев, А.Н. Базлов, В.Н. Губанков та ін. // Радиотехника. — 2005. — С. 88-90.
• Монокристаллы группы А ІІ В VI. Выращивание, свойства, применение [Текст] / Нац. акад. наук Украины, НТК "Ин-т монокристаллов", Ин-т монокристаллов. — Х. : Ин-т монокристаллов, 2002. — 244 с.
• Неразрушающий контроль состава и качества монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма [Текст] / Орловский государственный университет // Контроль.Диагностика : журнал Российского общества по неразрушающему контролю и технической диагностике (РОНКТД). — М. : Машиностроение, 2007. — С. 69-72.
• Низкочастотные фотоосцилляции в монокристаллах селенида цинка [Текст] / М.В. Шолкина, В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев // Радиоэлектроника летательных аппаратов : темат. сб. науч. тр. / Харьк. авиац. ин-т. — Харьков, 1976. — С. 47-52.
• Одержання та дослідження умов вирощування градієнтних кристалів твердих розчинів вісмут-сурма [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01- матеріалознавство / НАН України, Ін-т монокристалів. — К., 2003. — 16 с.
• Оптические монокристаллы сложных оксидных соединений [Текст] / Нац. акад. наук Украины, НТК "Ин-т монокристаллов", Ин-т монокристаллов. — Х. : Ин-т монокристаллов, 2002. — 250 с.
• Органiчнi кристали для сцинтиляцiйної технiки [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 - матерiалознавство / НАН України, Науково-технологiчний концерн "Iнститут монокристалiв":. — Х., 1999. — 18 с.
• Основы конструирования разрядных источников с сапфировой оболочкой [Текст] / С.В. Гавриш, М.А. Левкин, Д.В. Шерстнев та ін. // . — С. 59-65.
• Отримання ефективних сцинтиляторів на основі кристалів Lu2xGd2-2xSiO5:Ce (LGSO:Ce) [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 - матеріалознавство / Нац. акад. наук України, Ін-т монокристалів. — Х., 2015. — 19 с.
• Отримання та комплексне дослідження текстурованих композиційних матеріалів на основі мікрокристалічних фоточутливих та сцинтиляційних халькогенідів цинку [Текст] : звіт про НДР (заключ.) : Ф64/31-2015 / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т" ; кер. Мигаль В. : викон. : Чугай О., Клименко І., Олійник С., Фомін О. — Х., 2015. — 59 с.
• Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок [Текст] / под ред. А.Ф. Кравченко. — Новосибирск : Наука, 1978. — 270 с.
• Поверхневі процеси, що викликають деградацію спектрометричних характеристик сцинтиляторів NaI(TI) і CsI(Na) [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 - матеріалознавство / НАН України, Науково-технол. концерн "Ін-т монокристалів", Н.-дослід. відділення лужногалоїдних кристалів з дослідним виробництвом. — Х., 2002. — 20 с.
• Погрешность контактного метода измерения текущей площади выращиваемого монокристалла германия [Текст] / Сибирский государственный аэрокосмический университет им академика М.Ф.Решетнева, Россия // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика : Научно-технический и производственный журнал. — М. : Научтехлитиздат, 2009. — С. 43-46.
• Подложки из галлата неодима для высокотемпературных сверхпроводящих устройств [Текст] / И.М. Котелянский, В.Б. Кравченко, В.А. Лузанов та ін. // Радиотехника и электроника. — 2005. — С. 1212-1216.
• Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров [Текст] / И.М. Сольский, Д.Ю. Сугак, В.М. Габа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 55-61.

1   2