Аналіз кристалів із застосуванням рентгенівських променів ( рентгенографічний аналіз )
Підтеми:
Документи:
- Аномальное изменение периода решетки монокристаллов InP, облученных реакторами нейтронами. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 67-72.
- Аппаратная функция двухкристального рентгеновского дифрактометра [Текст] / Физико-технологический институт РАН, Москва // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 107-115.
- Влияние легирования кремнием на особенности образования микродефектов вдоль слитка в монокристаллах GaAs ( Si) [Текст] / В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев, М.И. Воронова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — C.75-77.
- Влияние радиационного фактора на формирование стрктуры и напряженного состояния конденсатов, полученных ионным распылением тугоплавких материалов системы Ti-W-B [Текст] / А.П. Шпак, О.В. Соболь, Ю.А. Куницкий, М.Ю. Барабаш // Порошковая металлургия : Научно-технический журнал / Ин-т проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины. — С. 72-83.
- Влияние содержания В2О3 и условий роста на структурное совершенство кристаллов GaAs(Si), выращенных методом вертикально направленной кристаллизации [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // . — С. 46-49.
- Возбуждение высоких номеров гармоник нерелятивистскими осцилляторами. [Текст] / ННЦХФТИ, г.Харьков, Украина // Электромагнитные волны и электронные системы. — 2005. — С. 39-44.
- Вплив радіуса кривизни багатошарових структур на спектри дифракції Х-променів [Текст] / Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України // . — С. 169-173.
- Двухволновая рентгеновская рефлектометрия пленок металлов и силицидов на кремнии [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 2006. — С. 27-34.
- Изменение структуры слоя Si в КНИ после имплантации ионов Ar+ [Текст] / К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, Д.М. Пажин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — C.71-74.
- Изучение механизма образования микродефектов в монокристаллах GaAs, выращенных из раствора-расплава с избытком галлия [Текст] / Московский институт стали и сплавов, Россия // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 57-62.
- Исследование анизотропии характеристик динамики решетки кристаллов системы AgGaS2-AgInS2 [Текст] / Институт физики твердого тела и полупроводников НАНБ, Республика Беларусь. // . — С. 19-24.
- Исследование микродефектов, образующихся на разных стадиях формирования внутреннего геттера в Si, выращенного методом Чохральского [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 4-14.
- Кристаллическая структура диборида алюминия в композитах КНБ, полученных реакционным спеканием при высоких давлениях [Текст] / Институт сверхтвердых материалов им.В.Н.Бакуля НАН Украины, Киев // Доповіді Національної Академії наук України : науково-теоретичний журнал / Президія НАН України. — С. 77-81.
- Кубічна сприйнятливість та гіперполяризованість системи ліотропний рідинний кристал-віологен [Текст] / Інститут фізики НАН України, Київ // Український фізичний журнал. — 2008. — С. 1167-1174.
- Магнітна мікроструктура при поверхневих шарів епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату, імплантованих іонами фосфору [Текст] / Прикарпатський національний університет ім. Василя Стуса // . — С. 61-68.
- Микродефекты в термообработанных монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации [Текст] / Московский институт стали и сплавов // . — С. 29-33.
- Микрорентгеноскопический контроль газовой пористости в алюминиевых литейных сплавах авиационного назначения [Текст] / К.Г. Мирошин, Е.И. Косарина // Контроль.Диагностика : журнал Российского общества по неразрушающему контролю и технической диагностике (РОНКТД). — М. : Машиностроение, 2007. — С. 62-63.
- Моделювання радіаційних та релаксаційних процесів в імплантованих іонами кисню плівках залізо ітрієвого гранату [Текст] / Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, Івано-Франковськ // Доповіді Національної Академії наук України : науково-теоретичний журнал / Президія НАН України. — С. 82-85.
- Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // . — С. 54-57.
- О политропии серы в фосфиде галлия [Текст] / ФГОУ ВПО "Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" // . — С. 34-37.
- Особенности рентгенодифрактометрического исследования модельных образцов большепериодных и малопериодных сверхрешеток и сверхрешеточных приборных структур [Текст] / Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино // Инженерная физика. — 2007. — С. 39-45.
- Процессы геттерирования их роль в технологии полупроводниковых приборов, основные механизмы. [Текст] / НИИ "Пульсар", МАДИ (ГТУ) // . — С. 4-8.
- Разработка, изготовление и исследование составных рентгеновских рефракционных линз из ПММА [Текст] / РНЦ "Курчатовский институт" // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 118-122.
- Рентгеновский абсорбционный анализ следов тяжелых металлов в жидкостях [Текст] / Национальный технический университет "Хароьковский политехнический институт" // Экология и промышленность : научно-производственный журнал. — Х. : Украинский гос. НТЦ "Энергосталь", 2007. — С. 38-41.
- Рентгеновский дифрактометр с подвижной системой излучатель-детектор [Текст] / В.Е. Асадчиков, В.Г. Бабак, А.В. Бузмаков та ін. // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 99-107.
- Рентгеновский дифрактометр с радиоизотопной приставкой для фазового анализа сыпучих материалов [Текст] / В.И. Боченин // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика : Научно-технический и производственный журнал. — М. : Научтехлитиздат, 2007. — С. 52-54.
- Рентгеновский кристалл-монохроматор с управляемой полушириной кривой качания [Текст] / А.С. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.В. Чупрунов // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 110-117.
- Рентгенографическое исследование структурных изменений, происходящих при обработке металлов резанием [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / ХПИ. — Х., 1966. — 21 с.
- Рентгеноструктурное исследование сплава АМr6М в скользящем пучке [Текст] / В.Д. Юшин, О.К. Колеров, В.Г. Скрябина, А.Н. Логвинов // Основы теории обработки металлов : темат. сб. науч. тр. / отв. ред. Ю.Н. Алексеев. — Х. : ХАИ, 1978. — С. 112-116.
- Спектральні та електричні характеристики іонних рідких кристалів з домішкою віологену. [Текст] / Національний авіаційний університет, м.Київ // Український фізичний журнал. — 2004. — С. 1098-1103.
- Термический полиморфизм, валентность и некоторые свойства редкоземельных элементов. [Текст] / Московский государственный университет природоустройства // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 19-24.
- Технологія модифікації фізичних характеристик кристалів CdZnTe для використання в радіоелектронній апаратурі [Текст] : пояснюв. зап. до диплом. роботи магістра : 8.05090201 - радіоелектрон. апарати та засоби : (робота викон. на рос. мові) / Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т", Ф-т радіотехн. систем літ. апаратів, Каф. вир-ва радіоелектрон. систем літ. апаратів (№ 502) ; кер. Олійник В. П. — Х., 2013. — 136 с. + додатки.
- Управление рентгеновским излучением с использованием воздействия электрических и тепловых полей на дифрагирующий кристалл [Текст] / Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 76-80.
- Устройство для изгиба кристаллов в процессе рентгеновского эксперимента [Текст] / Э.В. Суворов, И.А. Смирнова, А.C. Образова // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 178-180.
- Устройство для непрерывного дистанционного контроля электрической прочности изолирующих масел [Текст] / Институт ядерной и радиационной физики ФГУП “РФЯЦ–ВНИИ экспериментальной физики” Россия // Приборы и техника эксперимента : научный журнал / РАН. — С. 102-106.
|
