Зведений каталог бібліотек Харкова

• Класифікатори та каталоги
• Кристалографія

Дефекти в кристалах

Документи:

• Анизотропия оптического поглощения в монокристаллах ZnGeP2 [Текст] / А.И. Грибенюков, Г.А. Верозубова, В.В. Короткова, А.Ю. Трофимов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 39-42.
• Аномальное изменение периода решетки монокристаллов InP, облученных реакторами нейтронами. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 67-72.
• Вакансионные микродефекты в бездислокационных монокристаллах кремния. [Текст] / Институт государственного и муниципального управления, Украина // . — С. 14-19.
• Взаимодействие точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния [Текст] / Гуманитарный университет "Запорожский институт государственного и муниципалного управления", Украина // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 27-40.
• Вивчення впливу високотемпературної обробки на розсіяння рентгенівських променів дефектами, що утворюються в кристалах Cz-Si. [Текст] / Київський національний університет ім. Т.Г.Шевченка // Український фізичний журнал. — К., 2005. — С. 93-97.
• Визначення функціональної придатності кристалів СdZnTe для використання в радіоелектронній апаратурі на основі методу скануючої фотодіелектричної спектроскопії [Текст] : пояснюв. зап. до диплом. проекту (роботи) магістра : 8.05090201 - радіоелектрон. апарати та засоби : (робота викон. на рос. мові) / Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т", Ф-т радіотехн. систем літ. апаратів, Каф. вир-ва радіоелектрон. систем літ. апаратів (№ 502) ; кер. Олійник В. П. — Х., 2013. — 94 с.
• Влияние алюминия на механизм роста и физические свойства слоев ZnO:Al [Текст] / А.Х. Абдуев, А.Ш. Асваров, А.К. Ахмедов та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 71-73.
• Влияние внутренних напряжений термической анизотропии на образование дефектной структуры в поликристаллическом титане при низкотемпературной деформации. [Текст] / Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины // . — С. 11-16.
• Влияние кристаллографической ориентации на трибологические характеристики монокристаллов корунда [Текст] / НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины, СКТБ "ФТИНТ" НАН Украины, Институт патологии позвоночника и суставов им. проф. М.И. Ситенко // . — С, 16-19.
• Влияние легирования кремнием на особенности образования микродефектов вдоль слитка в монокристаллах GaAs ( Si) [Текст] / В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев, М.И. Воронова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №1. — C.75-77.
• Влияние магнитных полей на сопротивление пластической деформации кристаллических тел [Текст] / И.М. Неклюдов, Я.Д. Стародубов, В.И. Соколенко // Український фізичний журнал. — 2005. — С. А113-А121.
• Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию CdS [Текст] / И.Б. Ермолович, В.В Миленин, та ін. // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2006. — С. 71-75.
• Влияние облучения реакторными нейтронами и отжигов на структуру монокристаллов InP. [Текст] / В.Т. Бублик, М.И. Воронова, К.Д. Щербачев та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 16-25.
• Возможности обобщенной кристаллографии: описание полиморфных превращений и новых дефектов в структуре алмаза. [Текст] / Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 45-53.
• Вплив дефектів на неоднорідність випромінювальних характеристик і механічних напружень в монокристалах арсеніду галію [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 "Фізика твердого тіла" / НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. — Київ, 1997. — 19 с.
• Вплив дефектів структури на електрофізичні та сцинтиляційні характеристики кристалів твердих розчинів ZnSe-ZnTe I CdTe-ZnTe [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 - матеріалознавство / НАНУ, Ін-т монокристалів. — Х., 2008. — 20 с.
• Геттерирование примесей в кремнии [Текст] / А.В. Еремеев, В.Л. Крюков, Г.Д. Кузнецов та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 66-69.
• Дефекты кристаллической решетки металлов [Текст] : учеб. пособие для студентов вузов / И.И. Новиков. — М. : Металлургия, 1968. — 188 с.
• Дослідження змін розсіяння рентгенівських променів впорядкованими дислокаційними структурами в процесі деформаційного старіння [Текст] / М.М. Новиков, П.О. Теселько // . — С. 176-180.
• Зарождение дислокационных петель и пластическая деформация нанокристаллических материалов [Текст] / М.Ю. Гуткин, И.А. Овидько // . — С. 123-136.
• Изменение структуры слоя Si в КНИ после имплантации ионов Ar+ [Текст] / К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, Д.М. Пажин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2004. — №4. — C.71-74.
• Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и отжигов [Текст] / В.Т. Бублик, М.И.Щербачев Воронова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — С.65-73.
• Изучение закономерностей роста некоторых автоэпитаксиальных конденсированных слоев [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / ХПИ. — Х., 1967. — 27 с.
• Интенсивность диффузного рассеяния рентгеновских лучей от кристаллов с неоднородным распределением комплексий [Текст] / К.П. Рябошапка, Е.И. Богданов, С.Е. Богданов // Український фізичний журнал. — 2006. — С. 114-1119.
• Информационная технология для анализа подсистемы дефектов выращивания полупроводниковых кристаллов [Текст] / Л.И. Дьяченко, Е.В. Минов, С.Э. Остапов та ін. // Радіоелектронні і комп'ютерні системи : наук. - техн. журн. / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т". — Х. : ХАІ, 2015. — С. 88-95.
• Исследование радиационного окисления алюминия в системе алюминий-вода методами электропроводности и инфракрасной спектроскопии [Текст] / Н.Н. Гаджиева, А.Н. Римиханова, А.А. Гарибов, Ш.С. Исмаилов // Вопросы атомной науки и техники / НАНУ; Нац. научный центр "ХФТИ". — Х., 2007. — С. 36-39.
• Моделирование и оптимизация конструкции теплового экрана в установке «Редмет-ЭОМ» для выращивания монокристаллов кремния большого диаметра [Текст] / Инстиститут проблем механики им.А.Ю.Ишлинского РАН, Россия // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 43-48.
• Моделирование образования ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния большого диаметра [Текст] / А.И. Простомолотов, Н.А. Верезуб, В.В. Воронков // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. — М., 2005. — №2. — С.48-53.
• Моделирование процессов прохождения скользящих дислокаций через ансамбли колеблющихся дислокаций [Текст] / В.Т. Дегтярев // Наукоемкие технологии : научно-технический журнал. — М. : Радиотехника, 2007. — С. 34-37.
• Моделирование тепловых процессов и дефектообразования при выращивании и термообработке бездислокационных монокристаллов и пластин кремния [Текст] / Институт проблем механики РАН // . — С. 49-53.
• Модификация физических свойств кристаллов АIIВVI самоупорядочением дефектной структуры [Текст] / НАНУ, Научно-технол. комплекс "Ин-т монокристаллов". — Х. : ИСМА, 2008. — 276 с.
• Надра Землі - природний фізико-хімічний реактор [Текст] / Інститут геології та геохімії горючих копалин НАН України, Львів. // Доповіді Національної Академії наук України  : науково-теоретичний журнал / Президія НАН України. — С. 138-143.
• Нова теорія синтезу і генезису природних вуглеводнів: абіогенно-біогенний дуалізм [Текст] / Й.М. Сворень, І.М. Наумко // Доповіді Національної Академії наук України  : науково-теоретичний журнал / Президія НАН України. — С. 111-116.
• Образование пар близких дефектов в активированных щелочно-галоидных кристаллах под действием УФ-света при низких температурах [Текст] / И.К. Плявинь, М.Ф. Тринклер // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 107-120.
• Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // . — С. 54-57.
• Определение кристаллографической разориентации в структурах нитридов III группы на сапфире и в композициях нитрид-на-нитриде. [Текст] / В.В. Смирнов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С. 74-77.
• О природе центров зарождения локальной жидкой фазы на поверхности полупроводников при быстром нагреве [Текст] / Я.В. Фаттахов, М.Ф. Галяутдинов, Т.Н. Львова та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 74-77.
• Оптимизация оптических, сцинтилляционных и радиационных характеристик сцинтиллятора на основе вольфрамата свинца для проекта ЦЕРН ALICE с помощью примесных и структурных дефектов [Текст] / С.Ф. Бурачас, С.Я. Белогловский, Д.В. Елизаров та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 35-38.
• Особенности гетерогенного механизма образования и трансформации ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния [Текст] / В.И. Таланин, И.Е. Таланин // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 14-24.
• Особенности рациональнно-индуцированного изменения структурных свойств кремния, находящегося под воздействием упругого и электрического полей. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 64-68.
• Особенности релаксационных процессов в кристаллах с решеткой типа NaCl, деформированных в условиях, когда высота образца меньше стороны основания. [Текст] / Институт сцинтилляционных материалов, Украина // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 28-31.
• Параметрический анализ формирования вакансионніх микродефектов в монокристаллах кремния [Текст] / Н.А. Верезуб, М.Г. Мильвидский, А.И. Простомолотов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 29-34.
• Построение и исследование динамической модели преодоления дислокацией дефектов в кристалле [Текст] / В.В. Благовещенский, И.Г. Панин // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 51-53.
• Применение комплексов разрушения синергетики для оценки состояния полуфабрикатов [Текст] / Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева // Заготовительные производства в машиностроении : Кузнечно-штамповочное, литейное и другие производства. Научно-технический и производственный журнал. — М. : Машиностроение, 2009. — С. 37-44.
• Про можливу інтенсифікацію розпаду твердого розчину кисню при ультразвуковій обробці зразків кремнію. [Текст] / Київський національний університет ім. Т.Г.Шевченка // Український фізичний журнал. — 2005. — С. 497-500.
• Про шляхи втілення глибинного високотемпературного флюїду в земну кору [Текст] / Інститут геології і геохімії горючих копалин НАН України, Львів // Доповіді Національної Академії наук України  : науково-теоретичний журнал / Президія НАН України. — С. 110-112.
• Расчет пространственного распределения микродефектов в монокристаллах кремния [Текст] / Д.Н. Пузанов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 63-68.
• Розробка концептуальних засад системної діагностики напружено-деформовоного стану функціональних кристалічних матеріалів [Текст] : звіт про НДР (заключ.) : Г505-45/2003 / Нац. аэрокосмічний ун-т "ХАІ" ; кер. Мигаль В. — Х. : Нац. аэрокосмический ун-т "ХАИ", 2005. — 117 с.
• Роль різних форм водню та вуглецю в природних процесах: новий погляд на походження вуглеводнів [Текст] / Й.М. Сворень, І.М. Наумко // Доповіді Національної Академії наук України  : науково-теоретичний журнал / Президія НАН України. — С. 131-134.
• Самоорганизация дислокационных ансамблей в ультразвуковом поле. [Текст] / Калужский филиал МГТУ им. Баумана // . — С. 34-37.

1   2